半导体装置以及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201410020345.3
申请日
2014-01-16
公开(公告)号
CN104465577A
公开(公告)日
2015-03-25
发明(设计)人
河崎一茂 栗田洋一郎 筑山慧至 三浦正幸
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L23488
IPC分类号
H01L2331 H01L2156 H01L2160
代理机构
北京市中咨律师事务所 11247
代理人
陈海红;段承恩
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置以及其制造方法 [P]. 
门井圣明 .
中国专利 :CN110246826A ,2019-09-17
[2]
半导体元件及其制造方法、以及半导体装置及其制造方法 [P]. 
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中国专利 :CN114868231A ,2022-08-05
[3]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
佐藤隆夫 .
中国专利 :CN105428341A ,2016-03-23
[4]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
小汲泰一 .
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[5]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
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[6]
半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
胁坂伸治 ;
河野一郎 ;
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[7]
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[8]
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[9]
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[10]
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