一种高透过率p型碘化铜透明导电薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910186303.X

申请日：

2019-03-12

公开(公告)号：

CN109979675A

公开(公告)日：

2019-07-05

发明(设计)人：

李玲霞彭伟于仕辉郑浩然杨盼

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

H01B1300

IPC分类号：

C23C1424 C23C1418

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

张宏祥

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01B 13/00 申请公布日:20190705
2019-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 13/00 申请日:20190312
2019-07-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高透明的p型碘化亚铜导电薄膜的制备方法 [P].

孙珲 ;

罗淑林 ;

宫建红 .

中国专利 :CN113061837A ,2021-07-02

[2]

一种高透过率透明导电薄膜及其制备方法 [P].

毛启明 ;

姜来新 ;

何丹农 .

中国专利 :CN103177800A ,2013-06-26

[3]

高透过率柔性透明导电薄膜及其制备方法 [P].

朱殿荣 ;

李俊 ;

赖勇建 ;

曹俊 .

中国专利 :CN101866708B ,2010-10-20

[4]

一种高度透明导电的p型碘化亚铜薄膜的制备方法 [P].

魏浩铭 ;

王明绪 ;

隽方蓥 ;

曹丙强 .

中国专利 :CN109368685A ,2019-02-22

[5]

一种p型硫化铜透明导电薄膜的制备方法 [P].

刘付胜聪 ;

陈立东 .

中国专利 :CN1949546A ,2007-04-18

[6]

一种高透过率导电薄膜及其制备方法 [P].

苏丽芬 ;

夏茹 ;

杨斌 ;

钱家盛 ;

苗继斌 ;

陈鹏 ;

郑争志 ;

曹明 .

中国专利 :CN105551580A ,2016-05-04

[7]

一种p型硫化铜透明导电薄膜及制备方法 [P].

李伸杰 ;

查天庸 ;

陈艳艳 ;

王强 .

中国专利 :CN109979645B ,2019-07-05

[8]

一种高导电率柔性透明导电薄膜的制备方法 [P].

严继康 ;

赵梅莉 ;

马一丹 ;

李江祺 ;

刘明 .

中国专利 :CN113053585A ,2021-06-29

[9]

一种可见近红外双波段高透过率的透明导电薄膜的制备方法 [P].

苏文敬 ;

王金磊 ;

王天齐 ;

彭塞奥 ;

李刚 ;

甘治平 ;

姚婷婷 ;

吴忠宪 .

中国专利 :CN121023430A ,2025-11-28

[10]

一种高导电p型非晶态透明导电薄膜材料及其制备方法 [P].

杨长 ;

耿方娟 ;

王亮君 ;

阮丝园 ;

杨佳霖 .

中国专利 :CN115188524B ,2025-06-10

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