IGBT器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210426232.4

申请日：

2012-10-30

公开(公告)号：

CN103794645B

公开(公告)日：

2014-05-14

发明(设计)人：

胡爱斌朱阳军卢烁今王波吴振兴田晓丽赵佳陆江

申请人：

申请人地址：

200120 上海市浦东新区金桥路939号宏南投资大厦1513

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L2906 H01L21331

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

王宝筠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101636376046 IPC(主分类):H01L 29/739 专利申请号:2012104262324 申请日:20121030
2014-05-14	公开	公开
2019-02-15	授权	授权

共 50 条

[1]

IGBT器件及其制作方法 [P].

叶俊雅 ;

洪智强 .

中国专利 :CN119815849A ,2025-04-11

[2]

IGBT器件及其制作方法 [P].

潘嘉 ;

张同博 ;

姚一平 ;

杨继业 ;

邢军军 ;

陈冲 ;

黄璇 ;

孙鹏 .

中国专利 :CN113903801A ,2022-01-07

[3]

IGBT器件及其制作方法 [P].

吴振兴 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

孙宝刚 .

中国专利 :CN102856193B ,2013-01-02

[4]

IGBT器件及其制作方法 [P].

韩健 ;

顾悦吉 ;

黄示 ;

陈琛 .

中国专利 :CN105489644A ,2016-04-13

[5]

IGBT器件及其制作方法 [P].

张景超 ;

戚丽娜 ;

井亚会 ;

林茂 ;

俞义长 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN114678410B ,2025-08-22

[6]

IGBT器件及其制作方法 [P].

滕渊 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

田晓丽 .

中国专利 :CN106711204B ,2017-05-24

[7]

IGBT器件及其制作方法 [P].

曹功勋 .

中国专利 :CN113851379A ,2021-12-28

[8]

IGBT器件及其制作方法 [P].

张景超 ;

戚丽娜 ;

井亚会 ;

林茂 ;

俞义长 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN114678410A ,2022-06-28

[9]

IGBT器件及其制作方法 [P].

孙宝刚 ;

吴振兴 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

赵佳 ;

田晓丽 ;

左小珍 .

中国专利 :CN102856192B ,2013-01-02

[10]

IGBT器件及其制作方法 [P].

戴庆芸 ;

朱阳军 ;

卢烁今 ;

田晓丽 .

中国专利 :CN106033771A ,2016-10-19

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