一种磷酸氢根离子修饰的ɑ相三氧化二铁薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410730497.2

申请日：

2014-12-05

公开(公告)号：

CN104478227A

公开(公告)日：

2015-04-01

发明(设计)人：

薛松刘侃武全萍王红艳孙喆

申请人：

申请人地址：

300384 天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区

IPC主分类号：

C03C1722

IPC分类号：

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司 12002

代理人：

侯力

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C03C 17/22 申请日:20141205 授权公告日:20160914 终止日期:20171205
2015-04-01	公开	公开
2016-09-14	授权	授权
2015-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效专利申请号:2014107304972 申请日:20141205 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607589145 IPC(主分类):C03C 17/22

共 50 条

[1]

一种铁盐修饰的α-三氧化二铁薄膜的制备方法 [P].

王红艳 ;

李言 .

中国专利 :CN114380514A ,2022-04-22

[2]

一种锌、铁盐和甘氨酸修饰的α-三氧化二铁薄膜的制备方法 [P].

孙喆 ;

李言 ;

王红艳 .

中国专利 :CN114620948A ,2022-06-14

[3]

一种亚铁盐修饰的α-三氧化二铁薄膜的制备方法 [P].

王红艳 ;

王辉 ;

薛松 ;

武全萍 ;

孙喆 .

中国专利 :CN109675637A ,2019-04-26

[4]

一种超薄、超小颗粒纳米a相三氧化二铁薄膜的制备方法 [P].

薛松 ;

张创立 ;

武全萍 ;

梁茂 ;

孙喆 .

中国专利 :CN104230179A ,2014-12-24

[5]

一种Zn-MOF修饰的α-三氧化二铁薄膜的制备方法 [P].

王红艳 ;

吴鹏远 ;

薛松 ;

王辉 ;

孙喆 .

中国专利 :CN109731615A ,2019-05-10

[6]

一种α相三氧化二铁的制备方法 [P].

张乾 ;

董立峰 ;

董红周 ;

田美娟 ;

吴鑫铭 .

中国专利 :CN104743612A ,2015-07-01

[7]

Ge掺杂的α相三氧化二铁纳米片阵列薄膜的制备方法 [P].

梁长浩 ;

刘俊 ;

叶一星 .

中国专利 :CN103693861A ,2014-04-02

[8]

磷酸二氢根离子载体的制备 [P].

穆赫德·赖斯·艾哈迈德 .

中国专利 :CN102292315A ,2011-12-21

[9]

一种α相三氧化二铁多孔微球及其制备方法 [P].

杨宏训 ;

孙明琛 ;

孙孟飞 ;

宋旺华 ;

孙胜男 ;

聂宇 .

中国专利 :CN107200360A ,2017-09-26

[10]

一种利用三氧化二铁制备磷酸铁的方法 [P].

谢斐 ;

刘志成 ;

张州辉 ;

王玉龙 ;

李芳萍 .

中国专利 :CN112573497A ,2021-03-30

← 1 2 3 4 5 →