一种高速高质量单晶金刚石的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810377077.9

申请日：

2018-04-24

公开(公告)号：

CN108611680B

公开(公告)日：

2018-10-02

发明(设计)人：

龚猛周广迪郁万成金鹏王占国

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C30B2904

IPC分类号：

C30B2520

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-02	公开	公开
2020-06-19	授权	授权
2018-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/04 申请日:20180424

共 50 条

[1]

一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法 [P].

王宏兴 .

中国专利 :CN103710748A ,2014-04-09

[2]

基于自组装工艺的高质量单晶金刚石生长方法 [P].

王宏兴 ;

李硕业 ;

刘璋成 ;

王玮 ;

张景文 ;

卜忍安 ;

侯洵 .

中国专利 :CN104911702B ,2015-09-16

[3]

一种高质量金刚石生长方法和系统 [P].

彭国令 ;

黄翀 .

中国专利 :CN110820044B ,2020-02-21

[4]

一种高质量金刚石生长托盘和生长系统 [P].

彭国令 ;

黄翀 .

中国专利 :CN211771655U ,2020-10-27

[5]

一种高质量大尺寸单晶金刚石外延生长的方法 [P].

李成明 ;

郑宇亭 ;

邵思武 ;

朱肖华 ;

刘金龙 ;

魏俊俊 ;

陈良贤 .

中国专利 :CN111206280A ,2020-05-29

[6]

MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法 [P].

马孟宇 ;

蔚翠 ;

郭建超 ;

刘庆斌 ;

王亚伟 ;

周闯杰 ;

何泽召 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114686971A ,2022-07-01

[7]

一种分阶段生长高质量异质外延单晶金刚石的方法 [P].

李红东 ;

张浩楠 ;

成绍恒 ;

刘钧松 ;

高楠 ;

张宇轩 .

中国专利 :CN120174480A ,2025-06-20

[8]

一种粉末作为掩膜生长高质量金刚石单晶的方法 [P].

刘厚盛 ;

张国凯 ;

陈明 ;

曹通 ;

郭崇 ;

郭鋆 ;

李巷雨 .

中国专利 :CN117364234A ,2024-01-09

[9]

一种生长金刚石单晶用样品托及金刚石单晶生长方法 [P].

丁雄傑 ;

王忠强 ;

王琦 ;

张国义 .

中国专利 :CN111074343A ,2020-04-28

[10]

一种高质量自支撑金刚石厚膜的生长方法 [P].

眭旭 ;

郭钰 ;

刘春俊 ;

彭同华 ;

杨建 .

中国专利 :CN121023461A ,2025-11-28

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