低碱、低熔洞率、低应力的致密锆英石砖及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010171523.4

申请日：

2010-05-06

公开(公告)号：

CN101851107A

公开(公告)日：

2010-10-06

发明(设计)人：

刘华利肖子良张国高

申请人：

申请人地址：

510450 广东省广州市番禺区石基镇大龙工业区黄山路13号

IPC主分类号：

C04B3566

IPC分类号：

C03B1706

代理机构：

广州三辰专利事务所 44227

代理人：

范钦正

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-17	授权	授权
2010-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101017283319 IPC(主分类):C04B 35/66 专利申请号:2010101715234 申请日:20100506
2010-10-06	公开	公开

共 50 条

[1]

使用致密锆英石骨料制备锆英石砖的方法 [P].

张晓峰 ;

孙文礼 ;

李玉强 ;

张瑛 ;

李志军 ;

郑飞 .

中国专利 :CN107935608B ,2018-04-20

[2]

一种致密锆英石砖及其制备方法 [P].

萧子良 ;

蒋亚丝 ;

刘华利 ;

朱其贞 ;

刘仲超 .

中国专利 :CN106116571A ,2016-11-16

[3]

一种致密锆英石砖及其制备方法 [P].

王海啸 ;

王立朝 .

中国专利 :CN114702323A ,2022-07-05

[4]

一种低蠕变电熔莫来石砖及其制造方法 [P].

张世俭 ;

肖子良 ;

刘华利 ;

阮小川 .

中国专利 :CN101817676A ,2010-09-01

[5]

低蠕变锆英石质溢流砖及其制备方法 [P].

张启山 ;

张瑛 ;

李志军 ;

刘杰 ;

逄丽丽 ;

李玉强 ;

蒋绪贵 .

中国专利 :CN103524139B ,2014-01-22

[6]

一种高抗折、低膨胀的致密锆英石溢流砖的制备方法 [P].

刘华利 ;

肖子良 ;

张国高 .

中国专利 :CN102229500A ,2011-11-02

[7]

高纯低蠕变电熔莫来石砖及其制备方法 [P].

张晓峰 ;

孙文礼 ;

李玉强 ;

张瑛 ;

李志军 ;

郑飞 .

中国专利 :CN107935575A ,2018-04-20

[8]

特种复合低铝莫来石砖及其制备方法 [P].

林彬荫 ;

郭长江 ;

张新玉 ;

贺海蛟 ;

张灿星 ;

王岭渠 .

中国专利 :CN101633578B ,2010-01-27

[9]

利用低品位锆英砂生产电熔锆刚玉制品的方法 [P].

侯松发 .

中国专利 :CN101671167B ,2010-03-17

[10]

低砷黄磷的制造方法 [P].

牛存镇 ;

付庆节 ;

苏毅 ;

李国斌 ;

魏成权 ;

杨亚玲 .

中国专利 :CN1257040A ,2000-06-21

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