一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210002292.3

申请日：

2012-01-05

公开(公告)号：

CN102556941B

公开(公告)日：

2012-07-11

发明(设计)人：

朱丽萍文震梅伟民

申请人：

申请人地址：

310027 浙江省杭州市浙大路38号

IPC主分类号：

B81B704

IPC分类号：

B81C100 H01M4525 H01M4131

代理机构：

浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100

代理人：

刘晓春

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-20	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101715392948 IPC(主分类):B81B 7/04 专利申请号:2012100022923 变更事项:发明人变更前:朱丽萍;梅伟民变更后:朱丽萍;文震;梅伟民
2012-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101327735548 IPC(主分类):B81B 7/04 专利申请号:2012100022923 申请日:20120105
2012-07-11	公开	公开
2015-08-05	授权	授权

共 50 条

[1]

锂离子电池四氧化三钴负极材料的制备方法 [P].

尹立辉 ;

高俊奎 ;

秦兴才 .

中国专利 :CN1738078A ,2006-02-22

[2]

一种衬底上生长有钴纳米线阵列的锂离子电池负极及其制备方法 [P].

杜宁 ;

赵文甲 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN104201332A ,2014-12-10

[3]

一种四氧化三钴/石墨烯纳米复合材料及其制备方法、锂离子电池负极、锂离子电池 [P].

黄家锐 ;

徐浩琛 ;

李雪雪 ;

李航宇 ;

张文 .

中国专利 :CN106099081A ,2016-11-09

[4]

一种锂离子电池负极的制备方法 [P].

杜宁 ;

赵文甲 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN104201338B ,2014-12-10

[5]

一种制作锂离子电池负极材料的四氧化三钴的制备方法 [P].

邢献军 ;

宋雨蔷 ;

王文泉 ;

李珊 ;

蒋汶 ;

张佳佳 .

中国专利 :CN110078134B ,2019-08-02

[6]

一种硅纳米线及其制备方法和应用、锂离子电池负极的制备方法 [P].

郑淞生 ;

陈思 ;

张叶涵 ;

温舒晴 ;

王兆林 .

中国专利 :CN114566638A ,2022-05-31

[7]

一种硅纳米线及其制备方法和应用、锂离子电池负极的制备方法 [P].

郑淞生 ;

陈思 ;

张叶涵 ;

温舒晴 ;

王兆林 .

中国专利 :CN114566638B ,2024-09-17

[8]

一种可用于锂离子电池负极材料的纳米四氧化三钴的制备方法 [P].

王介强 ;

牛锛 ;

杜国栋 .

中国专利 :CN101928044A ,2010-12-29

[9]

四氧化三钴-碳多孔纳米纤维的制备方法及其作为锂离子电池的用途 [P].

杨宏训 ;

聂建行 .

中国专利 :CN104466168A ,2015-03-25

[10]

一种SiOx纳米线及其制备方法和作为锂离子电池负极的应用 [P].

袁方利 ;

杨宗献 ;

金化成 ;

侯果林 ;

丁飞 ;

杜宇 .

中国专利 :CN111717921B ,2020-09-29

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