一种厚电极器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310010225.0

申请日：

2013-01-11

公开(公告)号：

CN103077779A

公开(公告)日：

2013-05-01

发明(设计)人：

陆达富王清华曾向东

申请人：

申请人地址：

518110 广东省深圳市宝安区观光路观澜大富苑顺络工业园

IPC主分类号：

H01B1300

IPC分类号：

H01F4100

代理机构：

深圳市中知专利商标代理有限公司 44101

代理人：

张皋翔

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101465135017 IPC(主分类):H01B 13/00 专利申请号:2013100102250 申请日:20130111
2015-12-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101725483130 IPC(主分类):H01B 13/00 专利申请号:2013100102250 申请公布日:20130501
2013-05-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种厚电极导电体器件的制作方法 [P].

陆达富 ;

王清华 ;

曾向东 .

中国专利 :CN103077780A ,2013-05-01

[2]

一种厚电极元器件的制作方法 [P].

朱秀美 ;

李强 ;

蔡锦伦 ;

李肇龙 ;

庞孔鑫 .

中国专利 :CN114496537A ,2022-05-13

[3]

一种厚电极结构及其制作方法 [P].

刘良海 ;

徐雄文 .

中国专利 :CN113991064A ,2022-01-28

[4]

一种厚电极及其制作方法与应用 [P].

孙伟兵 ;

刘范芬 ;

苑丁丁 ;

张林 .

中国专利 :CN115394952B ,2025-02-11

[5]

一种厚电极及其制作方法与应用 [P].

孙伟兵 ;

刘范芬 ;

苑丁丁 ;

张林 .

中国专利 :CN115394952A ,2022-11-25

[6]

厚电极的制备方法及厚电极、电池 [P].

曹宇 .

中国专利 :CN118263391A ,2024-06-28

[7]

一种电子元器件电极的制作方法 [P].

余瑞麟 ;

戴春雷 .

中国专利 :CN105448467A ,2016-03-30

[8]

一种厚电极的制备方法 [P].

王利涛 ;

刘鹏 ;

薄晋科 ;

刘莹 .

中国专利 :CN119170747A ,2024-12-20

[9]

MOS器件及其制作方法、CMOS器件的制作方法 [P].

李凤莲 ;

韩秋华 ;

倪景华 .

中国专利 :CN103578989A ,2014-02-12

[10]

一种CMOS器件的制作方法 [P].

程勇鹏 ;

任威剑雄 ;

郑隆跃 ;

邓良耀 ;

刘巾溆 ;

张康康 ;

王子琦 .

中国专利 :CN120936092A ,2025-11-11

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