硅碳负极材料制备装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721488472.1

申请日：

2017-11-10

公开(公告)号：

CN207353380U

公开(公告)日：

2018-05-11

发明(设计)人：

付万群李玉峰李泽鑫付世敏

申请人：

申请人地址：

453700 河南省新乡市新乡县小冀镇中街村

IPC主分类号：

H01M436

IPC分类号：

H01M438 H01M462

代理机构：

郑州隆盛专利代理事务所(普通合伙) 41143

代理人：

项丽丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-11	授权	授权

共 50 条

[1]

硅碳负极材料制备方法及装置 [P].

付万群 ;

李玉峰 ;

李泽鑫 ;

付世敏 .

中国专利 :CN107834047A ,2018-03-23

[2]

一种硅碳负极材料反应器及硅碳负极材料制备方法 [P].

张冬翔 ;

张华芹 ;

李广敏 ;

王刘伟 ;

吴海龙 .

中国专利 :CN117920069A ,2024-04-26

[3]

连续制备硅碳负极材料的方法、硅碳负极材料和电池 [P].

吴胜水 ;

刘风羽 ;

吴泽俊 ;

马克旻 .

中国专利 :CN119050258A ,2024-11-29

[4]

一种硅碳负极材料制备装置 [P].

刘晶昱 ;

于蕾 ;

刘瑾豪 .

中国专利 :CN110707317B ,2020-01-17

[5]

多孔碳材料及硅碳负极材料的制备方法 [P].

白宇 ;

宋宏芳 ;

张元辉 ;

滕克军 ;

赵东辉 .

中国专利 :CN118108205A ,2024-05-31

[6]

高强度硅碳负极材料的制备方法 [P].

李云祥 ;

吴晓栋 ;

张长安 ;

曹新龙 ;

屈涛 ;

薛孟尧 ;

王军阔 ;

关昊 .

中国专利 :CN117727913A ,2024-03-19

[7]

连续制备硅碳负极材料的设备 [P].

吴泽俊 ;

马克旻 ;

吴胜水 ;

刘风羽 .

中国专利 :CN119034609A ,2024-11-29

[8]

连续制备硅碳负极材料的设备 [P].

吴泽俊 ;

刘风羽 ;

吴胜水 ;

马克旻 .

中国专利 :CN223454206U ,2025-10-21

[9]

一种硅碳负极材料制备方法及硅碳负极材料反应器 [P].

程佳彪 ;

张华芹 ;

张冬翔 ;

王刘伟 ;

李广敏 .

中国专利 :CN118954516A ,2024-11-15

[10]

CVD流化沉积装置及硅碳负极材料的制备方法 [P].

汤刚 ;

杨乐之 ;

涂飞跃 ;

肖可颂 ;

罗磊 ;

罗列科 ;

彭青姣 ;

方自力 ;

陈涛 ;

余林遇 ;

覃事彪 .

中国专利 :CN113957417A ,2022-01-21

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