薄膜晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110182022.4

申请日：

2021-02-09

公开(公告)号：

CN113345966A

公开(公告)日：

2021-09-03

发明(设计)人：

大田裕之迫精伍加藤久幸

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府堺市堺区匠町1番地

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334

代理人：

叶乙梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20210209
2021-09-03	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

守口正生 ;

竹井美智子 ;

神崎庸辅 ;

井上毅 ;

深谷哲生 ;

高西雄大 ;

楠见崇嗣 ;

中谷喜纪 ;

冈本哲也 ;

中西研二 .

中国专利 :CN102939658A ,2013-02-20

[2]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

朴鲜 ;

柳春基 ;

权赫珣 .

韩国专利 :CN118676156A ,2024-09-20

[3]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

梁泰勋 ;

李基龙 ;

徐晋旭 ;

朴炳建 .

中国专利 :CN1716633A ,2006-01-04

[4]

薄膜晶体管及其制备方法 [P].

黄义勋 ;

李根洙 .

中国专利 :CN1716636A ,2006-01-04

[5]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

上田知正 ;

中野慎太郎 ;

齐藤信美 ;

原雄二郎 ;

内古闲修一 .

中国专利 :CN102484135A ,2012-05-30

[6]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

佐藤淳 .

中国专利 :CN101009331B ,2007-08-01

[7]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

伊藤康悦 ;

竹口彻 .

中国专利 :CN1913177A ,2007-02-14

[8]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

井上一吉 ;

矢野公规 ;

笘井重和 ;

笠见雅司 ;

川岛浩和 ;

宇都野太 .

中国专利 :CN102187467A ,2011-09-14

[9]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

越智元隆 ;

森田晋也 ;

高梨泰幸 ;

后藤裕史 ;

钉宫敏洋 .

中国专利 :CN105324835B ,2016-02-10

[10]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

大田裕之 ;

井上智博 .

日本专利 :CN112740420B ,2025-03-11

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