通过球磨粉末氧化控制并烧结高载流MgB2超导体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910069804.6

申请日：

2009-07-21

公开(公告)号：

CN101607822A

公开(公告)日：

2009-12-23

发明(设计)人：

刘永长马宗青霍洁高志明余黎明

申请人：

申请人地址：

300072天津市南开区卫津路92号天津大学

IPC主分类号：

C04B35622

IPC分类号：

C04B3558

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所

代理人：

王丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2022-07-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 35/04 申请日:20090721 授权公告日:20120201 终止日期:20210721
2009-12-23	公开	公开
2012-02-01	授权	授权

共 23 条

[1]

低温快速制备MgB2超导体的方法 [P].

刘永长 ;

马宗青 ;

赵倩 ;

余黎明 .

中国专利 :CN101314544A ,2008-12-03

[2]

MgB2超导体材料的制备方法 [P].

高召顺 ;

张义邴 .

中国专利 :CN1569633A ,2005-01-26

[3]

Cu掺杂MgB2超导体及低温快速制备方法 [P].

刘永长 ;

马宗青 ;

史庆志 ;

赵倩 .

中国专利 :CN101224897A ,2008-07-23

[4]

高临界电流密度甘氨酸掺杂MgB2超导体及制备方法 [P].

刘永长 ;

蔡奇 ;

马宗青 ;

余黎明 ;

高志明 .

中国专利 :CN102531610A ,2012-07-04

[5]

金属Sn掺杂MgB2超导体及高温快速制备方法 [P].

刘永长 ;

姜海 ;

马宗青 ;

董治中 ;

余黎明 .

中国专利 :CN101591172A ,2009-12-02

[6]

金属Sn掺杂MgB2超导体及低温快速制备方法 [P].

刘永长 ;

姜海 ;

马宗青 ;

董治中 ;

余黎明 .

中国专利 :CN101591171A ,2009-12-02

[7]

一种MgB2超导体的制备方法 [P].

闫果 ;

闫世成 ;

王庆阳 ;

冯勇 ;

卢亚锋 ;

李成山 ;

纪平 ;

吴怡芳 ;

张平祥 .

中国专利 :CN1794367A ,2006-06-28

[8]

一种分步烧结反应制备碳掺杂MgB2超导体的方法 [P].

焦高峰 ;

闫果 ;

刘国庆 ;

王庆阳 ;

熊晓梅 ;

李成山 .

中国专利 :CN101508571B ,2009-08-19

[9]

一种高致密度MgB2超导体的制备方法 [P].

张红 ;

李磊 ;

赵勇 .

中国专利 :CN106336220B ,2017-01-18

[10]

具有高临界电流密度的MgB2基超导体及其制造方法 [P].

赵勇 ;

冯勇 ;

吴源 ;

町敬人 ;

札本安识 ;

腰塚直己 ;

村上雅人 .

中国专利 :CN1212973C ,2003-12-24