一种片式压敏电阻器用钯银浆料

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810587051.7
申请日
2018-06-08
公开(公告)号
CN108766696A
公开(公告)日
2018-11-06
发明(设计)人
胡愿防
申请人
申请人地址
526000 广东省肇庆市端州七路16号西江大桥引桥东侧桥北楼六楼602室
IPC主分类号
H01C712
IPC分类号
H01B122
代理机构
昆明合众智信知识产权事务所 53113
代理人
张玺
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种片式电阻器用电阻浆料 [P]. 
欧阳铭 ;
廖明雅 ;
宋永生 ;
吴海斌 .
中国专利 :CN107731342A ,2018-02-23
[2]
片式压敏电阻器 [P]. 
内田雅幸 ;
筱泽恒树 ;
吉田尚义 ;
簗田壮司 .
日本专利 :CN120954840A ,2025-11-14
[3]
片式压敏电阻器 [P]. 
章士瀛 ;
曹光堂 ;
王艳 .
中国专利 :CN2718744Y ,2005-08-17
[4]
片式压敏电阻器 [P]. 
内田雅幸 ;
筱泽恒树 ;
吉田尚义 ;
簗田壮司 .
日本专利 :CN116364363B ,2025-09-26
[5]
一种片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法 [P]. 
傅尧 ;
张伟铭 ;
王中男 ;
郑京 ;
江志坚 ;
李罗峰 .
中国专利 :CN115359947A ,2022-11-18
[6]
一种片式ZnO压敏电阻器用内电极银浆制备方法 [P]. 
傅尧 ;
张伟铭 ;
王中男 ;
郑京 ;
江志坚 ;
李罗峰 .
中国专利 :CN115359947B ,2025-07-18
[7]
一种多层片式压敏电阻器 [P]. 
吴浩 ;
鲁信勇 ;
罗万先 ;
李吉跃 ;
肖中崛 ;
王小燕 ;
彭高东 .
中国专利 :CN119132766B ,2025-03-11
[8]
一种多层片式压敏电阻器 [P]. 
吴浩 ;
鲁信勇 ;
罗万先 ;
李吉跃 ;
肖中崛 ;
王小燕 ;
彭高东 .
中国专利 :CN119132766A ,2024-12-13
[9]
片式陶瓷压敏电阻器 [P]. 
刘树英 ;
周斌扬 ;
申淦阳 ;
邓毅华 .
中国专利 :CN213339928U ,2021-06-01
[10]
一种径向多层片式压敏电阻器 [P]. 
罗万先 ;
鲁信勇 ;
李吉跃 ;
肖中崛 ;
朱一博 .
中国专利 :CN223526948U ,2025-11-07