基于微波等离子体的碳化硅氧化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810521156.2

申请日：

2018-05-25

公开(公告)号：

CN108584963A

公开(公告)日：

2018-09-28

发明(设计)人：

刘新宇汤益丹王盛凯白云杨成樾

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

C01B3312

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B 33/12 申请公布日:20180928
2018-09-28	公开	公开
2018-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/12 申请日:20180525

共 50 条

[1]

基于两步微波等离子体氧化的碳化硅氧化方法 [P].

刘新宇 ;

汤益丹 ;

王盛凯 ;

白云 ;

杨成樾 .

中国专利 :CN108666206A ,2018-10-16

[2]

基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法 [P].

刘新宇 ;

王盛凯 ;

白云 ;

汤益丹 ;

韩忠霖 ;

田晓丽 ;

陈宏 ;

杨成樾 .

中国专利 :CN109494147A ,2019-03-19

[3]

基于微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法 [P].

刘新宇 ;

汤益丹 ;

王盛凯 ;

白云 ;

杨成樾 .

中国专利 :CN112133634A ,2020-12-25

[4]

基于微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法 [P].

刘新宇 ;

汤益丹 ;

王盛凯 ;

白云 ;

杨成樾 .

中国专利 :CN108735607A ,2018-11-02

[5]

碳化硅的等离子体切割 [P].

迈克尔·勒斯纳 ;

曼弗雷德·恩格尔哈特 ;

古德龙·施特兰茨尔 .

中国专利 :CN107507767B ,2017-12-22

[6]

碳化硅的等离子体刻蚀 [P].

李思义 .

中国专利 :CN1522465A ,2004-08-18

[7]

基于两步微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法 [P].

刘新宇 ;

汤益丹 ;

王盛凯 ;

白云 ;

杨成樾 .

中国专利 :CN108766887A ,2018-11-06

[8]

基于交流电压下微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件制造方法 [P].

刘新宇 ;

王盛凯 ;

白云 ;

汤益丹 ;

韩忠霖 ;

田晓丽 ;

陈宏 ;

杨成樾 .

中国专利 :CN109545687A ,2019-03-29

[9]

用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置 [P].

刘新宇 ;

汤益丹 ;

王盛凯 ;

白云 ;

杨成樾 .

中国专利 :CN108735570A ,2018-11-02

[10]

碳化硅栅介质氟等离子体的处理方法及碳化硅功率器件 [P].

刘佳佳 ;

樊帆 ;

高渊 ;

毕胜赢 ;

崔玉兴 .

中国专利 :CN109524304A ,2019-03-26

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