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一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811432400.4
申请日：
2018-11-28
公开(公告)号：
CN111232931A
公开(公告)日：
2020-06-05
发明(设计)人：
程陆玲 杨一行
申请人：
申请人地址：
516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
IPC主分类号：
C01B1314
IPC分类号：
C01G902 C01G5304 B82Y3000 H01L5150 H01L5154
代理机构：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268
代理人：
王永文;刘文求
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-06-30 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 13/14 申请日:20181128
2020-06-05 公开 公开
共 50 条
[1]
一种纳米金属氧化物及其制备方法、量子点发光二极管 [P]. 
程陆玲 ;
杨一行 .
中国专利 :CN111244294B ,2020-06-05
[2]
一种量子点发光二极管及其制备方法 [P]. 
程陆玲 ;
杨一行 .
中国专利 :CN111244297A ,2020-06-05
[3]
一种量子点发光二极管及其制备方法 [P]. 
程陆玲 ;
杨一行 .
中国专利 :CN111244295A ,2020-06-05
[4]
量子点发光二极管的制备方法及制得的量子点发光二极管 [P]. 
管子豪 ;
龙能文 ;
骆意勇 .
中国专利 :CN111584766A ,2020-08-25
[5]
一种量子点发光二极管及其制备方法 [P]. 
程陆玲 ;
杨一行 .
中国专利 :CN111384273B ,2020-07-07
[6]
一种改性金属氧化物及其制备方法与量子点发光二极管 [P]. 
聂志文 ;
刘文勇 .
中国专利 :CN112310288B ,2021-02-02
[7]
金属氧化物薄膜制备方法、量子点发光二极管及制备方法 [P]. 
郭煜林 ;
吴龙佳 .
中国专利 :CN115707317A ,2023-02-17
[8]
一种量子点发光二极管 [P]. 
苏亮 .
中国专利 :CN111129320B ,2020-05-08
[9]
量子点发光二极管及其制备方法 [P]. 
徐威 .
中国专利 :CN113130778A ,2021-07-16
[10]
一种量子点发光二极管 [P]. 
苏亮 .
中国专利 :CN111384254A ,2020-07-07
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