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铅掺杂型锗红外光电探测器及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910242772.9
申请日：
2019-03-28
公开(公告)号：
CN111755553A
公开(公告)日：
2020-10-09
发明(设计)人：
汪巍 方青 涂芝娟 曾友宏 蔡艳 王庆 王书晓 余明斌
申请人：
申请人地址：
201800 上海市嘉定区城北路235号3号楼
IPC主分类号：
H01L31101
IPC分类号：
H01L31115 H01L310288 H01L3118
代理机构：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人：
孙佳胤;陈丽丽
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-10-09 公开 公开
2020-10-30 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/101 申请日:20190328
共 50 条
[1]
波导型GePb红外光电探测器及其制造方法 [P]. 
汪巍 ;
方青 ;
涂芝娟 ;
曾友宏 ;
蔡艳 ;
王庆 ;
王书晓 ;
余明斌 .
中国专利 :CN111834486B ,2020-10-27
[2]
红外光电探测器的制备方法和红外光电探测器 [P]. 
区耀华 ;
杨为家 ;
王冬 ;
林惇庆 ;
林捷 ;
徐钊荣 ;
胡凯祥 ;
乔鑫 .
中国专利 :CN118800832A ,2024-10-18
[3]
应变平衡GeSn红外光电探测器及其制造方法 [P]. 
汪巍 ;
方青 ;
涂芝娟 ;
曾友宏 ;
蔡艳 ;
王庆 ;
王书晓 ;
余明斌 .
中国专利 :CN110767766B ,2020-02-07
[4]
红外光电探测器的制备方法和红外光电探测器 [P]. 
梁培健 ;
杨为家 ;
林士修 ;
区耀华 ;
陈景辉 ;
罗森春 ;
徐钊荣 ;
林原盛 .
中国专利 :CN118800833A ,2024-10-18
[5]
红外光电探测器的制备方法和红外光电探测器 [P]. 
梁培健 ;
杨为家 ;
林士修 ;
区耀华 ;
陈景辉 ;
罗森春 ;
徐钊荣 ;
林原盛 .
中国专利 :CN118800833B ,2025-10-21
[6]
PbSe光敏薄膜红外光电探测芯片及其制备方法、红外光电探测器 [P]. 
丁玎 ;
何峰 ;
张浩 ;
王栋 .
中国专利 :CN113013283A ,2021-06-22
[7]
红外光电探测器 [P]. 
蒋红 ;
周天明 ;
张宝林 ;
宁永强 ;
金亿鑫 .
中国专利 :CN2132287Y ,1993-05-05
[8]
红外光电探测器 [P]. 
梁琦 ;
耿士才 ;
杨星 .
中国专利 :CN217544628U ,2022-10-04
[9]
锗光电探测器及其形成方法 [P]. 
梁志伟 ;
阎大勇 ;
李宁原 ;
孙静 ;
国智睿 ;
江小雪 .
中国专利 :CN117747699A ,2024-03-22
[10]
红外光电探测器及其制造方法 [P]. 
任飞 ;
刘舒曼 ;
王风娇 ;
翟胜强 ;
梁平 ;
刘峰奇 ;
王占国 .
中国专利 :CN104900731B ,2015-09-09
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