电吸收调制激光器制冷封装结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110739907.X
申请日
2021-06-30
公开(公告)号
CN113764971B
公开(公告)日
2021-12-07
发明(设计)人
刘永康 刘倚红 王任凡
申请人
申请人地址
430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号
IPC主分类号
H01S502212
IPC分类号
H01S50232 H01S502345 H01S50237 H01S5024 H01S5026
代理机构
北京中强智尚知识产权代理有限公司 11448
代理人
焦禹
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
制冷型激光器TO封装结构及其封装方法 [P]. 
吕怡凡 ;
常巍 ;
赵伟 ;
孔庆涛 .
中国专利 :CN116780329B ,2024-04-16
[2]
电吸收调制激光器同轴封装管芯 [P]. 
温永阔 .
中国专利 :CN206283097U ,2017-06-27
[3]
一种电吸收调制激光器芯片 [P]. 
王健 ;
周厚煌 ;
刘应军 .
中国专利 :CN115377799A ,2022-11-22
[4]
一种同轴封装的电吸收调制激光器装置 [P]. 
丁植 ;
阳曦 ;
罗榴 .
中国专利 :CN112968351A ,2021-06-15
[5]
一种同轴封装的电吸收调制激光器装置 [P]. 
丁植 ;
阳曦 ;
罗榴 .
中国专利 :CN214542913U ,2021-10-29
[6]
电吸收调制激光器 [P]. 
陈欣 .
中国专利 :CN115336123B ,2025-04-04
[7]
电吸收调制激光器 [P]. 
温永阔 ;
胡靖 ;
邓刚 ;
张雄辉 ;
赵立军 .
中国专利 :CN215497527U ,2022-01-11
[8]
电吸收调制激光器 [P]. 
陈欣 .
中国专利 :CN115336123A ,2022-11-11
[9]
电吸收调制激光器 [P]. 
刘应军 ;
阳红涛 ;
王任凡 .
中国专利 :CN112382923A ,2021-02-19
[10]
半导体激光器TO制冷封装结构 [P]. 
刘永康 ;
刘倚红 ;
王任凡 .
中国专利 :CN215816820U ,2022-02-11