氧化铜纳米传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980019017.2

申请日：

2019-03-11

公开(公告)号：

CN111868513A

公开(公告)日：

2020-10-30

发明(设计)人：

M·I·索万 A·J·博尔科维奇 J·威尔尼尔斯 S·施泰因豪尔 Z·兹阿迪

申请人：

申请人地址：

日本冲绳县

IPC主分类号：

G01N2712

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

解延雷;庞东成

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-31	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N 27/12 申请公布日:20201030
2020-10-30	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化铜纳米薄膜、制备方法、电极及气体传感器 [P].

王小梅 ;

黄祖臻 ;

孙发哲 .

中国专利 :CN110872704A ,2020-03-10

[2]

纳米多孔氧化铜/氧化铜纳米线复合结构及其制备方法 [P].

杨卿 ;

楚思清 .

中国专利 :CN107986316A ,2018-05-04

[3]

纳米氧化铜的制备方法 [P].

乔准 ;

戴菁菁 ;

张建岗 ;

孙国栋 .

中国专利 :CN119551705A ,2025-03-04

[4]

氧化铜纳米晶及银/氧化铜异质结构的制备方法 [P].

吴继红 ;

冯峰 ;

代婷婷 ;

毛耀全 .

中国专利 :CN108067254B ,2018-05-25

[5]

基于氧化铜/氧化锌异质结构的气体传感器及其制备方法 [P].

张广维 ;

吴雪卫 ;

陈剑宇 ;

孙志鹏 ;

李谊 ;

马延文 ;

张新稳 ;

黄艳琴 ;

钱妍 .

中国专利 :CN108267488B ,2018-07-10

[6]

可调控形貌纳米氧化铜及其制备方法和该纳米氧化铜的用途 [P].

罗建民 ;

杨中 ;

陈俊宇 ;

方智三 ;

宋良辉 ;

战国利 ;

陈国通 ;

曹雪琴 ;

徐熠 ;

邵家丽 ;

王爱霞 .

中国专利 :CN105523578A ,2016-04-27

[7]

设置有正交氧化铜纳米片的ZnO纳米棒及相应的气体传感器 [P].

R·勒图尔克 ;

J-S·托曼 ;

R·布萨里 .

:CN119256224A ,2025-01-03

[8]

纳米氧化铜片的制备方法 [P].

乔准 ;

张于胜 ;

戴菁菁 ;

史晓磊 ;

孙国栋 .

中国专利 :CN119569101A ,2025-03-07

[9]

氧化铜纳米线的制备方法 [P].

周明杰 ;

邵鹏睿 ;

马文波 .

中国专利 :CN102858689A ,2013-01-02

[10]

纳米氧化铜片的制备方法 [P].

乔准 ;

张于胜 ;

戴菁菁 ;

史晓磊 ;

孙国栋 .

中国专利 :CN119569101B ,2025-05-16

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