半导体装置的制造方法、热处理装置以及存储介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710448108.0

申请日：

2017-06-14

公开(公告)号：

CN107507768A

公开(公告)日：

2017-12-22

发明(设计)人：

冈田充弘

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L2167 H01L2711524 H01L2711551 H01L271157 H01L2711578

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-23	授权	授权
2018-11-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/306 申请日:20170614
2017-12-22	公开	公开

共 50 条

[1]

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 [P].

山田朋之 ;

绀谷忠司 ;

中岛诚世 ;

大野干雄 .

中国专利 :CN111725092A ,2020-09-29

[2]

半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质 [P].

板谷秀治 ;

大桥直史 ;

高崎唯史 .

中国专利 :CN110828295A ,2020-02-21

[3]

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 [P].

大桥直史 ;

菊池俊之 ;

高崎唯史 .

中国专利 :CN114250450A ,2022-03-29

[4]

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 [P].

八幡橘 .

日本专利 :CN112309820B ,2024-12-03

[5]

半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质 [P].

野野村一树 ;

竹林雄二 .

日本专利 :CN113614881B ,2024-11-29

[6]

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 [P].

佐佐木伸也 ;

道田典明 ;

山本克彦 ;

中川崇 ;

汤浅和宏 .

中国专利 :CN115410949A ,2022-11-29

[7]

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 [P].

立野秀人 ;

高野智 .

日本专利 :CN113614884B ,2024-04-12

[8]

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 [P].

林昭成 .

中国专利 :CN109560010B ,2019-04-02

[9]

半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质 [P].

矶边纪之 .

中国专利 :CN110310886A ,2019-10-08

[10]

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 [P].

山田朋之 ;

绀谷忠司 ;

中岛诚世 ;

大野干雄 .

日本专利 :CN111725092B ,2024-09-13

← 1 2 3 4 5 →