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空穴导电碲镉汞外延材料热处理工艺及装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN96116340.2
申请日
:
1996-04-26
公开(公告)号
:
CN1065290C
公开(公告)日
:
1997-06-25
发明(设计)人
:
杨建荣
陈新强
方维政
郭世平
张小平
于梅芳
乔怡敏
何力
申请人
:
申请人地址
:
200083上海市中山北一路420号
IPC主分类号
:
C30B3302
IPC分类号
:
H01L21324
代理机构
:
上海华东专利事务所
代理人
:
高毓秋
法律状态
:
实质审查请求的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
1997-05-28
实质审查请求的生效
实质审查请求的生效
2004-06-23
专利权的终止未缴年费专利权终止
专利权的终止未缴年费专利权终止
2001-05-02
授权
授权
1997-06-25
公开
公开
共 50 条
[1]
碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺方法
[P].
焦翠灵
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焦翠灵
;
王仍
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王仍
;
徐国庆
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徐国庆
;
林杏潮
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林杏潮
;
张莉萍
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张莉萍
;
邵秀华
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邵秀华
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张可锋
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张可锋
;
杜云辰
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杜云辰
;
陆液
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陆液
.
中国专利
:CN103343390A
,2013-10-09
[2]
开管式碲镉汞外延材料热处理方法
[P].
杨建荣
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杨建荣
;
陈新强
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陈新强
;
黄根生
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黄根生
;
何力
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何力
.
中国专利
:CN1133761C
,2002-06-19
[3]
碲镉汞材料热处理装置
[P].
陈新强
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陈新强
;
方维政
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方维政
;
杨建荣
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杨建荣
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郭世平
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郭世平
;
何力
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何力
.
中国专利
:CN1058761C
,1998-04-08
[4]
碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法
[P].
杨建荣
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杨建荣
;
王善力
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王善力
;
陈新强
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陈新强
;
方维政
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方维政
;
巫艳
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巫艳
;
于梅芳
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于梅芳
;
何力
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何力
.
中国专利
:CN1065291C
,1999-04-21
[5]
碲镉汞气相外延材料的N型热处理工艺方法
[P].
焦翠灵
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焦翠灵
;
王仍
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王仍
;
徐国庆
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徐国庆
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林杏潮
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林杏潮
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张莉萍
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张莉萍
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邵秀华
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邵秀华
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张可锋
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张可锋
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杜云辰
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杜云辰
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陆液
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陆液
.
中国专利
:CN103305918A
,2013-09-18
[6]
一种碲镉汞外延材料热处理用石英夹具
[P].
宁提
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宁提
;
赵东生
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赵东生
.
中国专利
:CN205368544U
,2016-07-06
[7]
降低分子束外延碲镉汞位错密度的方法及碲镉汞外延件
[P].
李震
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机构:
中国电子科技集团公司第十一研究所
中国电子科技集团公司第十一研究所
李震
;
王丹
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中国电子科技集团公司第十一研究所
中国电子科技集团公司第十一研究所
王丹
;
周睿
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中国电子科技集团公司第十一研究所
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周睿
;
邢伟荣
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中国电子科技集团公司第十一研究所
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邢伟荣
;
折伟林
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中国电子科技集团公司第十一研究所
中国电子科技集团公司第十一研究所
折伟林
.
中国专利
:CN117626438A
,2024-03-01
[8]
碲镉汞材料高温热处理方法
[P].
杨建荣
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杨建荣
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陈新强
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陈新强
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于梅芳
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于梅芳
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方维政
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方维政
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何力
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何力
.
中国专利
:CN1195038A
,1998-10-07
[9]
一种碲镉汞材料开管式富汞热处理方法及装置
[P].
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机构:
黄晟
;
黄立
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机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
黄立
;
杨朝臣
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武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
杨朝臣
;
刘永锋
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武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
刘永锋
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刘洋
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武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
刘洋
;
张冰洁
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武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
张冰洁
.
中国专利
:CN120231134A
,2025-07-01
[10]
碲镉汞薄膜材料表面氧化膜层的处理工艺
[P].
李毅
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李毅
.
中国专利
:CN101083289A
,2007-12-05
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