空穴导电碲镉汞外延材料热处理工艺及装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN96116340.2
申请日
1996-04-26
公开(公告)号
CN1065290C
公开(公告)日
1997-06-25
发明(设计)人
杨建荣 陈新强 方维政 郭世平 张小平 于梅芳 乔怡敏 何力
申请人
申请人地址
200083上海市中山北一路420号
IPC主分类号
C30B3302
IPC分类号
H01L21324
代理机构
上海华东专利事务所
代理人
高毓秋
法律状态
实质审查请求的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
碲镉汞气相外延材料的P型热处理工艺方法 [P]. 
焦翠灵 ;
王仍 ;
徐国庆 ;
林杏潮 ;
张莉萍 ;
邵秀华 ;
张可锋 ;
杜云辰 ;
陆液 .
中国专利 :CN103343390A ,2013-10-09
[2]
开管式碲镉汞外延材料热处理方法 [P]. 
杨建荣 ;
陈新强 ;
黄根生 ;
何力 .
中国专利 :CN1133761C ,2002-06-19
[3]
碲镉汞材料热处理装置 [P]. 
陈新强 ;
方维政 ;
杨建荣 ;
郭世平 ;
何力 .
中国专利 :CN1058761C ,1998-04-08
[4]
碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法 [P]. 
杨建荣 ;
王善力 ;
陈新强 ;
方维政 ;
巫艳 ;
于梅芳 ;
何力 .
中国专利 :CN1065291C ,1999-04-21
[5]
碲镉汞气相外延材料的N型热处理工艺方法 [P]. 
焦翠灵 ;
王仍 ;
徐国庆 ;
林杏潮 ;
张莉萍 ;
邵秀华 ;
张可锋 ;
杜云辰 ;
陆液 .
中国专利 :CN103305918A ,2013-09-18
[6]
一种碲镉汞外延材料热处理用石英夹具 [P]. 
宁提 ;
赵东生 .
中国专利 :CN205368544U ,2016-07-06
[7]
降低分子束外延碲镉汞位错密度的方法及碲镉汞外延件 [P]. 
李震 ;
王丹 ;
周睿 ;
邢伟荣 ;
折伟林 .
中国专利 :CN117626438A ,2024-03-01
[8]
碲镉汞材料高温热处理方法 [P]. 
杨建荣 ;
陈新强 ;
于梅芳 ;
方维政 ;
何力 .
中国专利 :CN1195038A ,1998-10-07
[9]
一种碲镉汞材料开管式富汞热处理方法及装置 [P]. 
黄晟 ;
黄立 ;
杨朝臣 ;
刘永锋 ;
刘洋 ;
张冰洁 .
中国专利 :CN120231134A ,2025-07-01
[10]
碲镉汞薄膜材料表面氧化膜层的处理工艺 [P]. 
李毅 .
中国专利 :CN101083289A ,2007-12-05