半导体激光器、半导体激光器阵列以及半导体激光器的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880097717.9

申请日：

2018-09-26

公开(公告)号：

CN112714986A

公开(公告)日：

2021-04-27

发明(设计)人：

外间洋平铃木洋介

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01S512

IPC分类号：

H01S5026 H01S5125

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李洋;王培超

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-27	公开	公开
2021-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/12 申请日:20180926

共 50 条

[1]

半导体激光器、半导体激光器装置以及半导体激光器的制造方法 [P].

前原宏昭 ;

平聪 ;

渊田步 ;

铃木凉子 ;

宫越亮辅 .

日本专利 :CN119213646A ,2024-12-27

[2]

半导体激光器以及半导体激光器制造方法 [P].

中村直干 ;

河原弘幸 ;

松本启资 ;

铃木凉子 ;

平聪 .

日本专利 :CN118266139A ,2024-06-28

[3]

半导体激光器以及制造半导体激光器的方法 [P].

多田健太郎 ;

远藤健司 ;

深谷一夫 ;

奥田哲朗 ;

小林正英 .

中国专利 :CN101820135A ,2010-09-01

[4]

半导体激光器阵列 [P].

岩濑正幸 .

中国专利 :CN1174429A ,1998-02-25

[5]

半导体激光器阵列 [P].

二见充辉 ;

长谷川祐希 ;

吉原徹 ;

柳生伸二 ;

西村哲也 .

中国专利 :CN104821487B ,2015-08-05

[6]

半导体激光器 [P].

约尔格·埃里希·索尔格 ;

扬·马费尔德 ;

斯特凡·莫尔戈蒂 .

中国专利 :CN113169515A ,2021-07-23

[7]

半导体激光器 [P].

唐瑞来 .

中国专利 :CN222563229U ,2025-03-04

[8]

半导体激光器 [P].

小仓胜也 ;

钟堂健三 .

中国专利 :CN1220508A ,1999-06-23

[9]

半导体激光器 [P].

范辉 ;

季朝华 ;

罗宁一 .

中国专利 :CN202134793U ,2012-02-01

[10]

半导体激光器和半导体激光器的制造方法 [P].

彼得·扬德 .

德国专利 :CN113056850B ,2025-04-29

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