硅酸钆闪烁晶体的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310108610.5

申请日：

2003-11-14

公开(公告)号：

CN1283852C

公开(公告)日：

2004-11-10

发明(设计)人：

赵广军何晓明徐军介明印曾雄辉张连翰周圣明庞辉勇周国清

申请人：

申请人地址：

201800上海市800－211邮政信箱

IPC主分类号：

C30B1500

IPC分类号：

C30B2934

代理机构：

上海新天专利代理有限公司

代理人：

张泽纯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-01-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-11-10	公开	公开
2011-02-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101038287756 IPC(主分类):C30B 15/00 专利号:ZL2003101086105 申请日:20031114 授权公告日:20061108 终止日期:20091214
2006-11-08	授权	授权

共 50 条

[1]

硅酸钆单晶体的生长方法 [P].

赵广军 ;

徐军 ;

何晓明 ;

介明印 ;

曾雄辉 ;

张连翰 ;

周圣明 ;

庞辉勇 ;

周国清 .

中国专利 :CN1544711A ,2004-11-10

[2]

掺铈二硅酸镥闪烁晶体的生长方法 [P].

严成锋 ;

赵广军 ;

徐军 ;

介眀印 ;

庞辉勇 ;

张连翰 ;

夏长泰 ;

杭寅 .

中国专利 :CN1648290A ,2005-08-03

[3]

硅酸铋闪烁晶体的定形提拉生长方法 [P].

徐家跃 ;

申慧 ;

金敏 ;

张彦 ;

何庆波 ;

江国健 ;

王占勇 .

中国专利 :CN102002754B ,2011-04-06

[4]

硅酸钇镥晶体的生长方法 [P].

潘磊 ;

狄聚青 ;

刘运连 .

中国专利 :CN118223109A ,2024-06-21

[5]

水热法生长闪烁晶体硅酸铋的方法 [P].

周海涛 ;

何小玲 ;

霍汉德 ;

张昌龙 ;

王金亮 ;

覃世杰 ;

左艳彬 ;

卢福华 .

中国专利 :CN103014830A ,2013-04-03

[6]

焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法 [P].

冯鹤 ;

丁栋舟 ;

任国浩 ;

潘尚可 ;

陆晟 ;

张卫东 .

中国专利 :CN101665982A ,2010-03-10

[7]

缩短衰减时间的闪烁晶体生长方法及设备 [P].

王宇 ;

官伟明 ;

李敏 .

中国专利 :CN112513346A ,2021-03-16

[8]

Sc,Ce共掺杂的硅酸镥、硅酸钇镥晶体及其熔体法生长方法 [P].

张琦 ;

王小飞 ;

吕志萍 .

中国专利 :CN105986320A ,2016-10-05

[9]

铕掺杂硅酸钆晶体的用途及其制备方法 [P].

罗岚 ;

张澎鹏 ;

郭锐 ;

徐静宜 ;

安浩瑾 ;

周洲 .

中国专利 :CN113773838B ,2021-12-10

[10]

一种镧、镝、铈共掺的硅酸钇镥闪烁材料及其晶体生长方法 [P].

彭方 ;

郭玉勇 ;

王晓梅 ;

马孙明 .

中国专利 :CN108560053A ,2018-09-21

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