衬底注入方法以及实施该方法的离子注入器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710152074.7

申请日：

2003-03-21

公开(公告)号：

CN101197241A

公开(公告)日：

2008-06-11

发明(设计)人：

阿德里安·默雷尔伯纳德·哈里森彼得·爱德华兹彼得·金德斯利逆濑卓郎马文·法利佐藤修杰弗里·吕丁

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01J37317

IPC分类号：

H01L21265

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

柳春雷

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101075701457 IPC(主分类):H01J 37/317 专利申请号:2007101520747 公开日:20080611
2008-06-11	公开	公开
2008-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

衬底注入方法以及实施该方法的离子注入器 [P].

阿德里安·默雷尔 ;

伯纳德·哈里森 ;

彼得·爱德华兹 ;

彼得·金德斯利 ;

逆濑卓郎 ;

马文·法利 ;

佐藤修 ;

杰弗里·吕丁 .

中国专利 :CN100401449C ,2005-07-27

[2]

衬底注入方法以及实施该方法的离子注入器 [P].

阿德里安·默雷尔 ;

伯纳德·F·哈里森 ;

彼得·艾弗·图德·爱德华兹 ;

彼得·金德斯利 ;

克雷格·劳里 ;

彼得·迈克尔·班克斯 ;

逆濑卓郎 ;

马文·法利 ;

佐藤修 ;

杰弗里·吕丁 .

中国专利 :CN100583376C ,2005-11-02

[3]

离子注入装置及离子注入方法 [P].

河津翔 ;

井门德安 .

中国专利 :CN110137066B ,2019-08-16

[4]

离子注入装置及离子注入方法 [P].

狩谷宏行 ;

高桥裕二 .

中国专利 :CN112242287A ,2021-01-19

[5]

离子注入装置及离子注入方法 [P].

真锅和久 ;

八木田贵典 .

中国专利 :CN103811257B ,2014-05-21

[6]

离子注入装置及离子注入方法 [P].

狩谷宏行 ;

高桥裕二 .

日本专利 :CN112242287B ,2024-10-08

[7]

离子注入器 [P].

方文程 ;

郭玉森 ;

陆羿行 ;

赵振堂 .

中国专利 :CN116723626B ,2025-12-12

[8]

离子注入器电极 [P].

理查德·大卫·戈德堡 ;

大卫·乔治·阿穆尔 ;

克里斯多佛·伯吉斯 ;

艾德里安·J·默雷尔 .

中国专利 :CN103681184A ,2014-03-26

[9]

离子注入器电极 [P].

理查德·大卫·戈德堡 ;

大卫·乔治·阿穆尔 ;

克里斯多佛·伯吉斯 ;

艾德里安·J·默雷尔 .

中国专利 :CN1868028A ,2006-11-22

[10]

离子注入装置及其控制方法 [P].

狩谷宏行 ;

石川雅基 ;

院田佳昭 ;

黑濑猛 ;

八木田贵典 ;

弓山敏男 .

中国专利 :CN103367088B ,2013-10-23

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