一种薄膜磁阻传感器

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320236299.1

申请日：

2013-05-03

公开(公告)号：

CN203299361U

公开(公告)日：

2013-11-20

发明(设计)人：

金磊

申请人：

申请人地址：

410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号

IPC主分类号：

G01R3309

IPC分类号：

代理机构：

长沙市融智专利事务所 43114

代理人：

颜勇

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-20	授权	授权
2017-06-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101728192261 IPC(主分类):G01R 33/09 专利号:ZL2013202362991 申请日:20130503 授权公告日:20131120 终止日期:20160503

共 50 条

[1]

一种薄膜磁阻传感器 [P].

王建国 ;

薛松生 .

中国专利 :CN201697638U ,2011-01-05

[2]

一种薄膜磁阻传感器元件及薄膜磁阻电桥 [P].

王建国 .

中国专利 :CN102721427B ,2012-10-10

[3]

一种薄膜磁阻传感器 [P].

王建国 ;

薛松生 .

中国专利 :CN101871787A ,2010-10-27

[4]

一种薄膜磁阻传感器元件及薄膜磁阻电桥半桥和全桥 [P].

王建国 .

中国专利 :CN202994175U ,2013-06-12

[5]

线性薄膜磁阻传感器 [P].

王建国 .

中国专利 :CN102680009A ,2012-09-19

[6]

线性薄膜磁阻传感器、线性薄膜磁阻传感器电路及闭环电流传感器与开环电流传感器 [P].

王建国 .

中国专利 :CN203132562U ,2013-08-14

[7]

具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器及线性薄膜磁阻传感器电路 [P].

王建国 .

中国专利 :CN202994176U ,2013-06-12

[8]

一种双电桥式薄膜磁阻传感器 [P].

陈洁 ;

黄旭庭 .

中国专利 :CN109752677A ,2019-05-14

[9]

一种简易各向异性薄膜磁阻传感器 [P].

陈洁 ;

黄旭庭 .

中国专利 :CN109752678B ,2019-05-14

[10]

一种巨磁阻传感器 [P].

姜勇 ;

徐晓光 ;

孙海鑫 .

中国专利 :CN203941281U ,2014-11-12

← 1 2 3 4 5 →