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一种用于离子液体电沉积的装置
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201420650622.4
申请日
:
2014-11-04
公开(公告)号
:
CN204198870U
公开(公告)日
:
2015-03-11
发明(设计)人
:
张云
陈波
龙燕
何娇
申请人
:
申请人地址
:
650093 云南省昆明市五华区学府路253号
IPC主分类号
:
C25C700
IPC分类号
:
C25D1700
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
专利权的终止
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-12-22
专利权的终止
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C25C 7/00 申请日:20141104 授权公告日:20150311 终止日期:20161104
2015-03-11
授权
授权
共 50 条
[1]
一种用于离子液体电沉积的装置
[P].
王悦
论文数:
0
引用数:
0
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0
王悦
.
中国专利
:CN216808941U
,2022-06-24
[2]
一种用于离子液体电沉积的电解池
[P].
李垚
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李垚
;
杨庆鑫
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杨庆鑫
;
刘昕
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刘昕
;
赵九蓬
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赵九蓬
.
中国专利
:CN202519342U
,2012-11-07
[3]
一种离子液体电沉积电镀装置
[P].
莫崧鹰
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莫崧鹰
;
邓茜
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邓茜
;
邓志坚
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邓志坚
.
中国专利
:CN208104574U
,2018-11-16
[4]
一种利用离子液体低温电沉积镓的方法
[P].
马梅彦
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马梅彦
.
中国专利
:CN103031571A
,2013-04-10
[5]
一种利用离子液体电沉积制备多孔锗的方法
[P].
赵九蓬
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赵九蓬
;
李孟愈
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李孟愈
;
李垚
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李垚
;
郝健
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郝健
.
中国专利
:CN104752704B
,2015-07-01
[6]
一种离子液体电沉积电镀装置及其方法
[P].
莫崧鹰
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莫崧鹰
;
邓茜
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邓茜
;
邓志坚
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邓志坚
.
中国专利
:CN108301027A
,2018-07-20
[7]
一种离子液体电沉积金属钴的方法
[P].
杨培霞
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杨培霞
;
安茂忠
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安茂忠
.
中国专利
:CN1884622A
,2006-12-27
[8]
离子液体电沉积金属单质的方法
[P].
安茂忠
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安茂忠
;
张杰
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张杰
;
姬姗姗
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姬姗姗
;
连叶
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连叶
;
杨培霞
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杨培霞
;
张锦秋
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张锦秋
.
中国专利
:CN104141151A
,2014-11-12
[9]
使用离子液体电沉积金属的方法
[P].
B·库兹马诺维茨
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B·库兹马诺维茨
;
C·J·G·斯特里恩
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C·J·G·斯特里恩
;
C·E·巴特尔
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C·E·巴特尔
;
M·蔡特勒
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M·蔡特勒
;
J·C·斯皮尔曼
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J·C·斯皮尔曼
.
中国专利
:CN101384752B
,2009-03-11
[10]
一种利用离子液体低温电沉积铁的方法
[P].
马梅彦
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0
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马梅彦
.
中国专利
:CN103046082A
,2013-04-17
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