半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010577852.9

申请日：

2010-12-08

公开(公告)号：

CN102544089B

公开(公告)日：

2012-07-04

发明(设计)人：

罗军赵超

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3＃

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336 H01L21768

代理机构：

北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345

代理人：

陈红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101343110843 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010105778529 申请日:20101208
2015-06-17	授权	授权
2012-07-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN102487085B ,2012-06-06

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN102593000B ,2012-07-18

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN102938416A ,2013-02-20

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN102938415B ,2013-02-20

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

罗军 ;

赵超 ;

钟汇才 ;

李俊峰 .

中国专利 :CN102760762B ,2012-10-31

[6]

半导体器件制造方法 [P].

尹海洲 ;

张珂珂 .

中国专利 :CN103545208B ,2014-01-29

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

梁擎擎 ;

罗军 ;

钟汇才 ;

赵超 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN103077919B ,2013-05-01

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN102479818B ,2012-05-30

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

王伟 ;

赵伟明 ;

段宁远 ;

谢书浩 .

中国专利 :CN110854063A ,2020-02-28

[10]

半导体器件制造方法 [P].

罗军 ;

邓坚 ;

赵超 ;

李俊峰 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN103390549B ,2013-11-13

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