一种高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710546400.6

申请日：

2017-07-06

公开(公告)号：

CN109206132A

公开(公告)日：

2019-01-15

发明(设计)人：

刘志甫邵辉常健李永祥

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

C04B3546

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-15	公开	公开
2020-07-03	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C04B 35/46 登记生效日:20200615 变更事项:申请人变更前权利人:中国科学院上海硅酸盐研究所变更后权利人:浙江矽瓷科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:200050 上海市长宁区定西路1295号变更后权利人:322118 浙江省金华市东阳市横店镇万盛街42号5楼
2019-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/46 申请日:20170706
2022-12-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01B 3/12 申请公布日:20190115

共 50 条

[1]

一种高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用 [P].

吉岸 ;

金镇龙 ;

张彬 .

中国专利 :CN117534441A ,2024-02-09

[2]

低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

张启龙 ;

杨辉 ;

孙慧萍 .

中国专利 :CN101381230A ,2009-03-11

[3]

高介电常数微波介质陶瓷材料 [P].

艾瑞克·P·K ;

吕文中 ;

汪小红 .

中国专利 :CN1673179A ,2005-09-28

[4]

一种高介电常数的微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用 [P].

吉岸 ;

王晓慧 ;

金镇龙 .

中国专利 :CN107739201B ,2018-02-27

[5]

低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

张树人 ;

方梓烜 ;

唐斌 .

中国专利 :CN107986774A ,2018-05-04

[6]

复合高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

李玲霞 ;

董和磊 .

中国专利 :CN102826847A ,2012-12-19

[7]

中温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及制备方法和应用 [P].

吉岸 ;

金镇龙 ;

张彬 .

中国专利 :CN117623762A ,2024-03-01

[8]

一种高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

陈国华 ;

袁昌来 ;

杨云 ;

周昌荣 ;

彭福伟 .

中国专利 :CN102898135A ,2013-01-30

[9]

一种高介电常数微波介质陶瓷材料、制备及其应用 [P].

崔雪娇 ;

刘绍军 ;

刘飞 ;

李昊 ;

程立金 ;

王杰 .

中国专利 :CN111825445B ,2020-10-27

[10]

一种高介电常数微波介质陶瓷材料及制备方法 [P].

韩伟东 ;

魏星 ;

张彬 .

中国专利 :CN119797906A ,2025-04-11

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