一种Pd单质包覆ZnO纳米棒阵列的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210062567.2
申请日
2012-03-09
公开(公告)号
CN102614873B
公开(公告)日
2012-08-01
发明(设计)人
王宏志 张权 李耀刚 张青红
申请人
申请人地址
201620 上海市松江区松江新城人民北路2999号
IPC主分类号
B01J2360
IPC分类号
B01J1900
代理机构
上海泰能知识产权代理事务所 31233
代理人
黄志达;谢文凯
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
一种ZnO纳米棒阵列的制备方法 [P]. 
王平 ;
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[2]
一种Na掺杂ZnO纳米棒阵列的制备方法 [P]. 
汤子康 ;
张文惠 ;
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项荣 ;
桂许春 .
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[3]
一种Y掺杂ZnO纳米棒阵列制备方法 [P]. 
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秦可 .
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[4]
一种ZIF‑8/ZnO纳米棒阵列薄膜材料及其制备方法 [P]. 
冯晋阳 ;
蔡祥莹 ;
田守勤 ;
孙佳楠 ;
赵修建 ;
夏冬林 .
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[5]
一种Mg掺杂的ZnO纳米线阵列的制备方法和装置 [P]. 
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王斌鉴 ;
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[6]
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[7]
一种Pd修饰ZnO纳米棒阵列的制备及其应用 [P]. 
孟丹 ;
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司建鹏 ;
游宇 .
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[8]
一种微通道垂直生长TiO2包覆ZnO纳米棒阵列的制备方法 [P]. 
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何中媛 ;
李耀刚 ;
张青红 .
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[9]
一种大规模合成ZnO纳米棒阵列的方法 [P]. 
武祥 ;
陈慧波 ;
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[10]
一种单一取向的ZnO纳米阵列的制备方法及其应用 [P]. 
苏剑峰 ;
唐春娟 ;
胡秋波 ;
牛强 ;
孙瑞瑞 ;
王昶清 ;
安秀云 ;
张娇 ;
王可欣 .
中国专利 :CN115321582A ,2022-11-11