改进的二极管结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620535378.6

申请日：

2016-06-03

公开(公告)号：

CN205810850U

公开(公告)日：

2016-12-14

发明(设计)人：

王婉莉

申请人：

申请人地址：

中国台湾新北市永和区保生路2号10楼

IPC主分类号：

H01L3348

IPC分类号：

H01L3362 H01L3352

代理机构：

天津三元专利商标代理有限责任公司 12203

代理人：

郑永康

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/48 申请日:20160603 授权公告日:20161214 终止日期:20190603
2016-12-14	授权	授权

共 50 条

[1]

一种二极管封装结构 [P].

张子岳 ;

刘家宾 ;

佘春林 .

中国专利 :CN204792779U ,2015-11-18

[2]

二极管结构 [P].

周飞 .

中国专利 :CN206040649U ,2017-03-22

[3]

改进的二极管 [P].

马奕俊 .

中国专利 :CN207458986U ,2018-06-05

[4]

二极管结构和二极管 [P].

F·拉努瓦 .

中国专利 :CN210743950U ,2020-06-12

[5]

新型二极管结构 [P].

庄明虔 ;

李志峰 ;

赵峰 .

中国专利 :CN215451392U ,2022-01-07

[6]

二极管封装结构和二极管 [P].

汤为 ;

黄兴宇 ;

任书冉 .

中国专利 :CN222462915U ,2025-02-11

[7]

改进的点矩阵二极管结构 [P].

陈天宇 .

中国专利 :CN2745158Y ,2005-12-07

[8]

发光二极管的改进结构 [P].

林希英 .

中国专利 :CN2676414Y ,2005-02-02

[9]

改进的静电放电二极管结构 [P].

R·A·科尔克拉泽 ;

D·M·西米德 .

中国专利 :CN1347568A ,2002-05-01

[10]

发光二极管改进结构 [P].

徐杏芬 .

中国专利 :CN2618304Y ,2004-05-26

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