一种香豆素类聚合物半导体激光材料及其应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810015618.3
申请日
2018-01-08
公开(公告)号
CN107987209A
公开(公告)日
2018-05-04
发明(设计)人
陆知纬
申请人
申请人地址
518131 广东省深圳市龙华新区大浪街道大浪社区华宁西路星辉科技工业园C栋4楼A区
IPC主分类号
C08F22030
IPC分类号
C08F21232 H01S536
代理机构
南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273
代理人
沈振涛
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种香豆素类聚合物半导体激光材料的制备方法 [P]. 
陆知纬 .
中国专利 :CN107936172A ,2018-04-20
[2]
一种双吡唑乙酸香豆素衍生物激光材料及其应用 [P]. 
陆知纬 .
中国专利 :CN108047211A ,2018-05-18
[3]
一种双吡唑乙酸香豆素衍生物激光材料的制备方法 [P]. 
陆知纬 .
中国专利 :CN108047212A ,2018-05-18
[4]
一种有机半导体激光材料及其制备方法与应用 [P]. 
赖文勇 ;
黄维 ;
赵丽 ;
易建鹏 ;
李祥春 ;
闫聪飞 .
中国专利 :CN104788279A ,2015-07-22
[5]
一种双核双吡唑乙酸香豆素衍生物配合物激光材料及其应用 [P]. 
陆知纬 .
中国专利 :CN108069991A ,2018-05-25
[6]
一种若丹明双吡唑乙酸酯有机激光材料及其应用 [P]. 
陆知纬 .
中国专利 :CN108129388A ,2018-06-08
[7]
一种双核若丹明双吡唑乙酸酯有机激光材料及其应用 [P]. 
陆知纬 .
中国专利 :CN108191893A ,2018-06-22
[8]
一种本征低熔点聚合物半导体材料及其制备方法和应用 [P]. 
赵岩 ;
张瑜 ;
王芝慧 ;
陆雪峰 ;
常东东 ;
刘云圻 .
中国专利 :CN119859250B ,2025-11-25
[9]
一种本征低熔点聚合物半导体材料及其制备方法和应用 [P]. 
赵岩 ;
张瑜 ;
王芝慧 ;
陆雪峰 ;
常东东 ;
刘云圻 .
中国专利 :CN119859250A ,2025-04-22
[10]
一种光刻稳定的聚合物半导体材料及制备方法和应用 [P]. 
赵岩 ;
左晓婵 ;
莫晓亮 .
中国专利 :CN120699237A ,2025-09-26