离子注入能量的监测方法和半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910348293.5

申请日：

2019-04-28

公开(公告)号：

CN110047773A

公开(公告)日：

2019-07-23

发明(设计)人：

李岩杨健马富林李超赵强

申请人：

申请人地址：

223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

H01L21265 H01L21324

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

孙佳胤;高德志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20190428
2021-05-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/66 申请公布日:20190723
2019-07-23	公开	公开

共 50 条

[1]

高能离子注入方法及半导体结构 [P].

陈勇 ;

卜伟海 .

中国专利 :CN105529250B ,2016-04-27

[2]

半导体器件的离子注入方法 [P].

何永根 ;

戴树刚 .

中国专利 :CN101308786A ,2008-11-19

[3]

离子注入装置及半导体结构 [P].

李亚 .

中国专利 :CN223193753U ,2025-08-05

[4]

监控离子注入能量的方法和系统 [P].

蒋邦邦 ;

胡慕 .

中国专利 :CN119170513A ,2024-12-20

[5]

半导体结构及监控离子注入状态的方法 [P].

杨帅 ;

尹维明 .

中国专利 :CN119542166A ,2025-02-28

[6]

离子注入能量漂移的监测方法 [P].

李嵘 ;

高伟 ;

刘智远 ;

商家浩 .

中国专利 :CN120149139A ,2025-06-13

[7]

半导体离子注入设备 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN222995349U ,2025-06-17

[8]

离子注入设备和离子注入方法 [P].

李军华 ;

罗承先 .

中国专利 :CN121075894A ,2025-12-05

[9]

使用轻离子注入制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

M.耶利内克 ;

J.G.拉文 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒施特雷德 .

中国专利 :CN105655244A ,2016-06-08

[10]

离子注入的方法及半导体结构的形成方法 [P].

张连宝 ;

曹子贵 ;

陈宏 .

中国专利 :CN108807156A ,2018-11-13

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