半导体结构与其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110436335.8

申请日：

2021-04-22

公开(公告)号：

CN113314500A

公开(公告)日：

2021-08-27

发明(设计)人：

陈建汉邱建智张世郁林大为陈逸棠

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L23522

IPC分类号：

H01L23528 H01L21768

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

黄艳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/522 申请日:20210422
2021-08-27	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构与其制作方法 [P].

陈建汉 ;

邱建智 ;

张世郁 ;

林大为 ;

陈逸棠 .

中国专利 :CN113314500B ,2025-05-16

[2]

半导体结构与其制作方法 [P].

李永亮 ;

马雪丽 ;

王晓磊 ;

杨红 ;

王文武 ;

李超雷 .

中国专利 :CN109920738A ,2019-06-21

[3]

半导体结构与其制作方法 [P].

刘伟晨 ;

韦亚一 ;

张利斌 .

中国专利 :CN109712871B ,2019-05-03

[4]

半导体结构与其制作方法 [P].

李永亮 ;

王晓磊 ;

杨红 ;

马雪丽 ;

李超雷 ;

王文武 .

中国专利 :CN109887847A ,2019-06-14

[5]

半导体结构与其制作方法 [P].

熊文娟 ;

张鹏 ;

刘若男 ;

李志华 ;

李俊峰 ;

赵超 ;

王文武 ;

亨利·H·阿达姆松 .

中国专利 :CN109904060B ,2019-06-18

[6]

半导体结构与其制作方法 [P].

任柏翰 .

中国专利 :CN105280645A ,2016-01-27

[7]

半导体结构与其制作方法 [P].

亨利·H·阿达姆松 ;

王桂磊 .

中国专利 :CN108878263A ,2018-11-23

[8]

半导体结构与其制作方法 [P].

李永亮 ;

马雪丽 ;

王晓磊 ;

杨红 ;

李超雷 ;

王文武 .

中国专利 :CN109950153B ,2019-06-28

[9]

半导体结构与其制作方法 [P].

曹博昭 ;

黄耀宏 ;

林建廷 ;

魏铭德 .

中国专利 :CN104795394B ,2015-07-22

[10]

半导体结构与其制作方法 [P].

亨利·H·阿达姆松 ;

王桂磊 ;

罗军 .

中国专利 :CN108807279A ,2018-11-13

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