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在沟槽中形成绝缘氧化层的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111249948.7
申请日：
2021-10-26
公开(公告)号：
CN114038746A
公开(公告)日：
2022-02-11
发明(设计)人：
顾昊元
蔡晨
李亮
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
H01L21285
C23C1604
C23C1640
C23C1650
C23C1656
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
郭四华
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-03-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20211026 |
| 2022-02-11 | 公开 | 公开 |