一种多功能的硅基光电神经突触器件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210385701.6

申请日：

2022-04-13

公开(公告)号：

CN115020589A

公开(公告)日：

2022-09-06

发明(设计)人：

皮孝东黄世杰杨德仁

申请人：

申请人地址：

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

IPC主分类号：

H01L5142

IPC分类号：

H01L5144 H01L5148 G06N3067

代理机构：

杭州天勤知识产权代理有限公司 33224

代理人：

胡红娟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-06	公开	公开
2022-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/42 申请日:20220413

共 50 条

[1]

一种有机无机杂化光电神经突触器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

孟佳琳 ;

王天宇 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN115084381A ,2022-09-20

[2]

一种仿神经突触器件及其制备方法 [P].

文世峰 ;

蒋承剑 ;

周燕 ;

陈道兵 ;

史玉升 ;

耿鹏 ;

陈柯宇 ;

刘洋 .

中国专利 :CN112563417A ,2021-03-26

[3]

碳化硅光电神经突触器件及其制备方法与应用 [P].

李东珂 ;

皮孝东 ;

步明轩 ;

王越 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN118338770A ,2024-07-12

[4]

碳化硅光电神经突触器件及其制备方法与应用 [P].

李东珂 ;

皮孝东 ;

步明轩 ;

王越 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN118338770B ,2024-09-03

[5]

一种神经突触器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

房雨晴 ;

孟佳琳 ;

王天宇 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN117693285A ,2024-03-12

[6]

一种光电双调制的有机柔性神经突触器件及其制备方法 [P].

陈琳 ;

李庆轩 ;

王天宇 ;

孟佳琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN115101669A ,2022-09-23

[7]

一种具有多比特存储功能的无铅钙钛矿光电神经突触器件及其制备方法 [P].

李明钰 ;

程振鹏 ;

刘思思 ;

朱君言 ;

王天乐 .

中国专利 :CN119997799A ,2025-05-13

[8]

具有零能耗的光电神经突触器件及制备方法 [P].

皮孝东 ;

黄稳 ;

杭鹏杰 ;

余学功 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN111312899A ,2020-06-19

[9]

光电神经突触器件、对应的制备方法和工作方法 [P].

皮孝东 ;

开翠红 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN115411136A ,2022-11-29

[10]

光电神经突触器件、对应的制备方法和工作方法 [P].

皮孝东 ;

开翠红 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN115411136B ,2025-09-05

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