发光二极管元件、以及发光二极管元件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910025850.X

申请日：

2019-01-10

公开(公告)号：

CN110473943B

公开(公告)日：

2019-11-19

发明(设计)人：

大野启山下贤哉

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府

IPC主分类号：

H01L3324

IPC分类号：

H01L3332 H01L3300

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

蒋亭

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-15	授权	授权
2019-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/24 申请日:20190110
2019-11-19	公开	公开

共 50 条

[1]

发光二极管元件、发光二极管用基板及发光二极管元件的制造方法 [P].

三谷敦志 ;

坂田信一 ;

藤井一宏 .

中国专利 :CN101044635A ,2007-09-26

[2]

发光二极管元件 [P].

叶慧君 .

中国专利 :CN104425537A ,2015-03-18

[3]

发光二极管元件 [P].

陈昭兴 ;

沈建赋 ;

柯淙凯 ;

洪详竣 .

中国专利 :CN106206550B ,2016-12-07

[4]

发光二极管元件 [P].

李学旻 .

中国专利 :CN103456873A ,2013-12-18

[5]

发光二极管元件 [P].

张利铭 ;

叶宗勋 ;

沈建赋 ;

林育瑞 ;

欧震 ;

王心盈 ;

叶慧君 .

中国专利 :CN113555476B ,2025-07-25

[6]

发光二极管元件 [P].

张利铭 ;

叶宗勋 ;

沈建赋 ;

林育瑞 ;

欧震 ;

王心盈 ;

叶慧君 .

中国专利 :CN113555476A ,2021-10-26

[7]

发光二极管元件 [P].

上田哲三 ;

油利正昭 .

中国专利 :CN101373809A ,2009-02-25

[8]

发光二极管元件 [P].

张利铭 ;

叶宗勋 ;

沈建赋 ;

林育瑞 ;

欧震 ;

王心盈 ;

叶慧君 .

中国专利 :CN108346726B ,2018-07-31

[9]

发光二极管元件 [P].

许嘉良 .

中国专利 :CN102983242A ,2013-03-20

[10]

发光二极管元件 [P].

李学旻 .

中国专利 :CN103633219A ,2014-03-12

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