一种过渡金属掺杂非晶碳薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111520125.3

申请日：

2021-12-13

公开(公告)号：

CN114182199B

公开(公告)日：

2022-03-15

发明(设计)人：

李洁吴胜利胡文波易兴康李永东

申请人：

申请人地址：

710049 陕西省西安市咸宁西路28号

IPC主分类号：

C23C1402

IPC分类号：

C23C1406 C23C1416 C23C1435

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

房鑫

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-10	授权	授权
2022-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/02 申请日:20211213
2022-03-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种金属掺杂非晶碳薄膜温度传感元件及其制备方法 [P].

汪爱英 ;

郭鹏 ;

柯培玲 ;

张栋 ;

陈仁德 ;

郑贺 .

中国专利 :CN105241569B ,2016-01-13

[2]

一种金属掺杂非晶碳薄膜材料、其制备方法与应用 [P].

张栋 ;

汪爱英 ;

郭鹏 ;

柯培玲 ;

孙丽丽 .

中国专利 :CN111455331B ,2020-07-28

[3]

一种过渡金属掺杂的碳微球及其制备方法与应用 [P].

蔡卫权 ;

刘裴 .

中国专利 :CN112337432B ,2021-02-09

[4]

一种铁掺杂含氢非晶碳薄膜及其制备方法 [P].

李宇 ;

陈品良 .

中国专利 :CN107974664A ,2018-05-01

[5]

一种过渡金属掺杂多孔碳材料及其制备方法和应用 [P].

郭玉鹏 ;

吴琴 ;

姜雪 ;

李雅洁 ;

杨枝晨 .

中国专利 :CN111204732B ,2020-05-29

[6]

一种过渡金属掺杂碳荧光量子点的制备方法 [P].

王昱 ;

冯亮 .

中国专利 :CN108130075A ,2018-06-08

[7]

一种过渡金属掺杂碳荧光量子点的制备方法 [P].

李慧勤 ;

窦树梅 ;

赵微微 ;

孟丽青 ;

邓翠 ;

安百江 .

中国专利 :CN109266336A ,2019-01-25

[8]

一种过渡金属掺杂碳荧光量子点的制备方法 [P].

冯亮 ;

王昱 ;

张雨 ;

贾明艳 ;

关亚风 .

中国专利 :CN106147760B ,2016-11-23

[9]

一种过渡金属掺杂的介孔碳材料的制备方法 [P].

包信和 ;

王春雷 ;

马丁 .

中国专利 :CN101613096A ,2009-12-30

[10]

一种过渡金属掺杂二维碳纳米片及其制备方法和应用 [P].

蔡卫卫 ;

时佳维 ;

李静 ;

张丽 ;

周顺发 ;

刘朝 .

中国专利 :CN112952119B ,2021-06-11

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