用于栅极触点或沟槽触点的导电过孔结构

被引：0

申请号：

CN202210473558.6

申请日：

2022-04-29

公开(公告)号：

CN115440701A

公开(公告)日：

2022-12-06

发明(设计)人：

L·P·古勒尔 T·加尼 C·H·华莱士

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L23538

IPC分类号：

H01L29423 H01L27088

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

林金朝

法律状态：

公开

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-06	公开	公开

共 50 条

[1]

用于栅极触点或沟槽触点的窄导电结构 [P].

L·P·古勒尔 ;

M·K·哈兰 ;

T·加尼 ;

C·H·华莱士 .

中国专利 :CN115513155A ,2022-12-23

[2]

用于具有分离栅极配置的沟槽功率MOSFET的栅极触点结构 [P].

杨延诚 ;

M·G·卡斯托里纳 ;

阮文征 ;

D·阿德南 ;

F·塔希尔 ;

严俊荣 .

:CN115207122B ,2025-12-19

[3]

具有到用于均匀栅格金属栅极和沟槽触点切口的链路的触点的集成电路结构 [P].

L·P·古勒尔 ;

N·J·基贝尔特 ;

A·马德哈范 ;

M·科普尔 ;

S·阿查里亚 ;

刘圣斯 ;

M·内伯斯 ;

C·H·华莱士 .

美国专利 :CN120730819A ,2025-09-30

[4]

具有堆叠沟槽触点和无栅极盖层的栅极触点的晶体管装置 [P].

A·C-H·韦 ;

O·戈隆茨卡 ;

F·阿迪比-里齐 .

中国专利 :CN115020494A ,2022-09-06

[5]

用于电子衬底的混合导电过孔 [P].

S·皮耶塔姆巴拉姆 ;

R·马内帕利 .

中国专利 :CN115394744A ,2022-11-25

[6]

用于三维存储设备中的中心阶梯结构的底部选择栅极触点 [P].

J·郭 ;

汤强 .

中国专利 :CN112534576A ,2021-03-19

[7]

用于三维存储设备中的中心阶梯结构的底部选择栅极触点 [P].

J·郭 ;

汤强 .

中国专利 :CN118354606A ,2024-07-16

[8]

用于三维存储设备中的中心阶梯结构的底部选择栅极触点 [P].

J·郭 ;

汤强 .

中国专利 :CN112534576B ,2024-05-24

[9]

具有金属栅电极和硅化物触点的FET栅极结构 [P].

顾伯聪 ;

安·斯蒂根 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN100490079C ,2005-07-13

[10]

用于沟槽接触部的有衬层的导电结构 [P].

K·加内桑 ;

A·阿拉齐齐 ;

A·K·拉卡尼 ;

P·P·孙 ;

D·I·帕雷德斯 .

美国专利 :CN118156265A ,2024-06-07

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