衬底处理装置、衬底处理方法及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410432238.1

申请日：

2014-08-28

公开(公告)号：

CN104681386A

公开(公告)日：

2015-06-03

发明(设计)人：

山口天和西堂周平

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

杨宏军;马妮楠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101615759379 IPC(主分类):H01J 37/32 专利申请号:2014104322381 申请日:20140828
2015-06-03	公开	公开
2017-04-12	授权	授权
2018-12-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01J 37/32 登记生效日:20181127 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社日立国际电气变更后权利人:株式会社国际电气变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都

共 50 条

[1]

衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底处理方法 [P].

稻田哲明 ;

和田优一 ;

石坂光范 ;

平野光浩 ;

堀井贞义 ;

板谷秀治 ;

高野智 ;

竹林基成 .

中国专利 :CN105374662B ,2016-03-02

[2]

半导体器件的制造方法、衬底处理装置及衬底处理方法 [P].

竹田刚 .

中国专利 :CN107204273B ,2017-09-26

[3]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及程序 [P].

高桥正纮 ;

堀田英树 .

中国专利 :CN115668454A ,2023-01-31

[4]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置 [P].

汤浅和宏 ;

赤江尚德 ;

寺崎昌人 .

中国专利 :CN103035485A ,2013-04-10

[5]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置 [P].

广濑义朗 ;

佐野敦 ;

渡桥由悟 ;

桥本良知 ;

岛本聪 .

中国专利 :CN105734531A ,2016-07-06

[6]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置 [P].

广濑义朗 ;

佐野敦 ;

渡桥由悟 ;

桥本良知 ;

岛本聪 .

中国专利 :CN103165438B ,2013-06-19

[7]

半导体装置的制造方法、衬底处理方法、及衬底处理装置 [P].

岛本聪 ;

渡桥由悟 ;

桥本良知 ;

广濑义朗 .

中国专利 :CN103325676B ,2013-09-25

[8]

半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置 [P].

大桥直史 ;

中山雅则 ;

须田敦彦 ;

丰田一行 ;

松井俊 .

中国专利 :CN106340471B ,2017-01-18

[9]

半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质 [P].

中谷公彦 ;

桥本良知 .

中国专利 :CN114203522A ,2022-03-18

[10]

衬底处理方法、衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质 [P].

奥野正久 ;

角田彻 ;

立野秀人 ;

定田拓也 ;

黑川正路 .

中国专利 :CN105518835A ,2016-04-20

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