一种Mg‑Sb‑Se纳米相变薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710537533.7

申请日：

2017-07-04

公开(公告)号：

CN107342362A

公开(公告)日：

2017-11-10

发明(设计)人：

吴冬燕章雯吴阳江

申请人：

申请人地址：

215104 江苏省苏州市吴中区吴中大道国际教育园致能大道1号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

C23C1435 C23C1416 C23C1418

代理机构：

南京纵横知识产权代理有限公司 32224

代理人：

刘艳艳;董建林

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20170704
2017-11-10	公开	公开
2020-02-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 45/00 申请公布日:20171110

共 50 条

[1]

一种用于相变存储器的Sb-Se-Ti系列纳米复合相变薄膜及其制备方法 [P].

吴卫华 ;

朱小芹 ;

眭永兴 ;

郑龙 ;

胡益丰 ;

邹华 .

中国专利 :CN109904311B ,2019-06-18

[2]

一种Er-Se-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

邹华 ;

胡益丰 ;

朱小芹 ;

薛建忠 ;

张建豪 ;

郑龙 ;

吴世臣 ;

袁丽 ;

孙月梅 ;

吴卫华 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN106229409B ,2016-12-14

[3]

一种Pr掺杂Sn-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法 [P].

姚梦颖 ;

吴卫华 ;

朱小芹 ;

眭永兴 ;

胡益丰 ;

邹华 .

中国专利 :CN110158043A ,2019-08-23

[4]

一种Si‑Sb‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途 [P].

胡益丰 ;

朱小芹 ;

邹华 ;

张建豪 ;

孙月梅 ;

薛建忠 ;

吴世臣 ;

袁丽 ;

吴卫华 ;

郑龙 ;

翟良君 .

中国专利 :CN106374043A ,2017-02-01

[5]

一种掺氧GeSb纳米相变薄膜及其制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

吴卫华 ;

何子芳 ;

陈施谕 .

中国专利 :CN106098934A ,2016-11-09

[6]

一种纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

吴卫华 ;

张培 ;

府博文 .

中国专利 :CN118354660A ,2024-07-16

[7]

一种In-Se纳米相变薄膜及其制备方法和应用 [P].

翟继卫 ;

许哲昊 ;

沈波 .

中国专利 :CN115697031A ,2023-02-03

[8]

一种Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途 [P].

胡益丰 ;

尤海鹏 ;

朱小芹 ;

邹华 ;

袁丽 ;

张剑豪 ;

孙月梅 ;

薛建忠 ;

吴世臣 ;

吴卫华 ;

郑龙 ;

翟良君 .

中国专利 :CN106960906A ,2017-07-18

[9]

一种Ge-Sb-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

晏雨枫 ;

李洋 ;

李欣欣 ;

吴晓丽 ;

胡益丰 ;

朱小芹 ;

邹华 ;

吴卫华 ;

张建豪 ;

眭永兴 .

中国专利 :CN105514270A ,2016-04-20

[10]

一种纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

胡益丰 ;

王玉堃 ;

朱小芹 ;

张剑豪 .

中国专利 :CN118773559A ,2024-10-15

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