氮化物半导体膜的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980065213.3

申请日：

2019-10-02

公开(公告)号：

CN112771647A

公开(公告)日：

2021-05-07

发明(设计)人：

高桥伸明三浦仁嗣根石浩司片山竜二森勇介今西正幸

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21203

IPC分类号：

C23C1406 C23C1434

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/203 申请日:20191002
2021-05-07	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体膜的形成方法 [P].

高桥伸明 ;

三浦仁嗣 ;

根石浩司 ;

片山竜二 ;

森勇介 ;

今西正幸 .

日本专利 :CN112771647B ,2024-09-27

[2]

氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法 [P].

彦坂年辉 ;

原田佳幸 ;

吉田学史 ;

杉山直治 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103839979B ,2014-06-04

[3]

氮化物半导体元件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法 [P].

彦坂年辉 ;

吉田学史 ;

名古肇 ;

杉山直治 ;

布上真也 .

中国专利 :CN104253180A ,2014-12-31

[4]

氮化物半导体发光元件和其形成方法 [P].

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

石桥惠二 ;

笠井仁 .

中国专利 :CN101548400A ,2009-09-30

[5]

氮化物半导体器件的形成工艺 [P].

真壁勇夫 .

日本专利 :CN109390212B ,2024-04-02

[6]

氮化物半导体器件的形成工艺 [P].

真壁勇夫 .

中国专利 :CN109390212A ,2019-02-26

[7]

形成氮化物半导体器件的方法 [P].

吉田智洋 .

中国专利 :CN109841519A ,2019-06-04

[8]

氮化物半导体器件的制造方法及氮化物半导体器件 [P].

中畑成二 ;

上松康二 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN100468627C ,2007-03-14

[9]

氮化物半导体和氮化物半导体的制造方法 [P].

小河淳 ;

远崎学 ;

冈崎舞 ;

藤重阳介 ;

田尻雅之 ;

伊藤伸之 .

中国专利 :CN106796870A ,2017-05-31

[10]

氮化物半导体、其制造方法以及氮化物半导体元件 [P].

川口靖利 ;

石桥明彦 ;

辻村步 ;

大塚信之 .

中国专利 :CN1515036A ,2004-07-21

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