半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03823026.7

申请日：

2003-03-19

公开(公告)号：

CN100429790C

公开(公告)日：

2005-10-19

发明(设计)人：

桥本广司高田和彦

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L29788

IPC分类号：

H01L29792 H01L27115 H01L218247

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

高龙鑫;张龙哺

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101038391816 IPC(主分类):H01L 29/788 专利号:ZL038230267 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:日本神奈川县横浜市变更后:日本神奈川县横浜市
2008-10-29	授权	授权
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101038391815 IPC(主分类):H01L 29/788 专利号:ZL038230267 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本神奈川县横浜市
2021-03-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/788 申请日:20030319 授权公告日:20081029 终止日期:20200319
2005-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-12-17	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县川崎市变更后:日本东京都登记生效日:20081107
2005-10-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

稻葉聡 ;

尾崎徹 ;

幸山裕亮 ;

须之内一正 .

中国专利 :CN1135626C ,1998-09-02

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

清水昭博 ;

大木长斗司 ;

野中裕介 ;

一濑胜彦 .

中国专利 :CN101465295A ,2009-06-24

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

清水昭博 ;

大木长斗司 ;

野中裕介 ;

一濑胜彦 .

中国专利 :CN1449585A ,2003-10-15

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

志村久 ;

桑原良安 .

日本专利 :CN110556301B ,2024-10-29

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

志村久 ;

桑原良安 .

中国专利 :CN110556301A ,2019-12-10

[6]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

菊池善明 ;

若林整 .

中国专利 :CN101997032B ,2011-03-30

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

前田茂伸 ;

卢铉弼 ;

李忠浩 ;

咸锡宪 .

中国专利 :CN103137621A ,2013-06-05

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

茂庭昌弘 ;

松崎望 ;

竹村理一郎 .

中国专利 :CN101136426B ,2008-03-05

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

井上阳子 .

中国专利 :CN101189716A ,2008-05-28

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

疋田智之 .

中国专利 :CN102484134B ,2012-05-30

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