半导体压力传感器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610162031.6

申请日：

2016-03-21

公开(公告)号：

CN105987783A

公开(公告)日：

2016-10-05

发明(设计)人：

佐藤公敏

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

G01L900

IPC分类号：

H01L2984

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

何立波;张天舒

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-01	授权	授权
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101686683627 IPC(主分类):G01L 9/00 专利申请号:2016101620316 申请日:20160321
2022-03-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/84 申请日:20160321 授权公告日:20190301 终止日期:20210321
2016-10-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体压力传感器及其制造方法 [P].

佐藤公敏 .

中国专利 :CN103872050B ,2014-06-18

[2]

半导体压力传感器及其制造方法 [P].

佐藤公敏 .

中国专利 :CN104124244B ,2014-10-29

[3]

半导体压力传感器及其制造方法 [P].

出尾晋一 ;

田口元久 ;

山下彰 ;

吉田幸久 .

中国专利 :CN101273255B ,2008-09-24

[4]

半导体压力传感器及其制造方法 [P].

佐藤公敏 .

中国专利 :CN113899488A ,2022-01-07

[5]

半导体压力传感器及其制造方法 [P].

吉川英治 .

中国专利 :CN113677968A ,2021-11-19

[6]

半导体压力传感器及其制造方法 [P].

八幡直树 .

中国专利 :CN102706490A ,2012-10-03

[7]

半导体压力传感器及其制造方法 [P].

佐藤公敏 .

中国专利 :CN102564658B ,2012-07-11

[8]

半导体压力传感器及其制造方法 [P].

佐藤公敏 .

中国专利 :CN101846563A ,2010-09-29

[9]

半导体压力传感器及其制造方法 [P].

佐藤公敏 .

中国专利 :CN101819077B ,2010-09-01

[10]

半导体压力传感器及其制造方法 [P].

渡边哲也 ;

工藤贵裕 ;

池田恭一 .

中国专利 :CN1149931A ,1997-05-14

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