非易失性半导体存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810190694.4

申请日：

2008-12-26

公开(公告)号：

CN101471385A

公开(公告)日：

2009-07-01

发明(设计)人：

清水达雄村冈浩一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L29792

IPC分类号：

H01L2949 H01L2951 H01L27115

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

郭放

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-01	公开	公开
2011-04-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101079711852 IPC(主分类):H01L 29/792 专利申请号:2008101906944 公开日:20090701

共 50 条

[1]

非易失性半导体存储器 [P].

大场竜二 ;

松下大介 .

中国专利 :CN102473682B ,2012-05-23

[2]

非易失性半导体存储器 [P].

藤原英明 .

中国专利 :CN1412853A ,2003-04-23

[3]

非易失性半导体存储器、半导体器件和非易失性半导体存储器的制造方法 [P].

三谷祐一郎 ;

松下大介 ;

大场龙二 ;

上冈功 ;

小泽良夫 .

中国专利 :CN1905213A ,2007-01-31

[4]

非易失性半导体存储器器件 [P].

中崎靖 ;

村冈浩一 ;

安田直树 ;

菊地祥子 .

中国专利 :CN101399290B ,2009-04-01

[5]

非易失性半导体存储器 [P].

清水和裕 ;

竹内祐司 .

中国专利 :CN1310332C ,2004-09-22

[6]

非易失性半导体存储器 [P].

大川真贤 .

中国专利 :CN1201240A ,1998-12-09

[7]

非易失性半导体存储器 [P].

渡边浩志 .

中国专利 :CN101127367A ,2008-02-20

[8]

非易失性半导体存储器 [P].

J·索罗德扎迪瓦 .

中国专利 :CN1550040A ,2004-11-24

[9]

非易失性半导体存储器 [P].

中野浩明 ;

行川敏正 ;

中山笃 ;

和田修 ;

伊藤洋 .

中国专利 :CN1822234A ,2006-08-23

[10]

非易失性半导体存储器件 [P].

石丸哲也 ;

久本大 ;

安井感 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN1677675A ,2005-10-05

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