一种采用片层MoS2制备MoS2/ZnIn2S4纳米片复合材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310289138.3

申请日：

2013-07-10

公开(公告)号：

CN103331175B

公开(公告)日：

2013-10-02

发明(设计)人：

陈亚杰付宏刚田国辉

申请人：

申请人地址：

150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号

IPC主分类号：

B01J27047

IPC分类号：

C01B304

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

牟永林

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B01J 27/047 申请日:20130710 授权公告日:20150225 终止日期:20180710
2013-11-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101535531007 IPC(主分类):B01J 27/047 专利申请号:2013102891383 申请日:20130710
2013-10-02	公开	公开
2015-02-25	授权	授权

共 50 条

[1]

TiO2/MoS2超薄纳米片阵列复合材料的制备方法 [P].

马德琨 ;

齐菲宣羽 ;

蔡芳芳 ;

黄少铭 .

中国专利 :CN110106519A ,2019-08-09

[2]

一种制备少层MoS2纳米片的方法 [P].

邢秋菊 ;

包少魁 ;

熊华萍 ;

占玉霞 ;

邹建平 ;

罗胜联 .

中国专利 :CN104609474A ,2015-05-13

[3]

一种MoS2/碳纳米片的制备方法 [P].

郑春明 ;

马超 ;

吕霈雨 .

中国专利 :CN110817842A ,2020-02-21

[4]

一种少层MoS2纳米片的制备方法 [P].

蔡克峰 ;

唐贵 .

中国专利 :CN106976911B ,2017-07-25

[5]

一种管状石墨烯/MoS2纳米复合材料的制备方法 [P].

唐华 ;

季晓瑞 ;

吴孔强 ;

李长生 ;

唐国刚 .

中国专利 :CN102796590B ,2012-11-28

[6]

一种层状MoS2‑TiO2纳米复合材料的制备方法 [P].

曹维成 ;

王快社 ;

胡平 ;

刘东新 ;

杨帆 ;

安耿 ;

卜春阳 ;

厉学武 ;

唐丽霞 ;

何凯 ;

刘仁智 .

中国专利 :CN105817237B ,2016-08-03

[7]

MoS2纳米片镶嵌在碳基底复合材料的制备方法及应用 [P].

于杰 ;

韩美胜 .

中国专利 :CN109904408B ,2019-06-18

[8]

一种用于钠离子电池负极的MoS2/MoS2纳米复合材料及其制备方法 [P].

许占位 ;

刘鑫悦 ;

黄剑锋 ;

曹丽云 ;

李智 ;

姚恺 ;

任宇川 ;

陈思雨 .

中国专利 :CN111799467B ,2020-10-20

[9]

一种超薄MoS2纳米片/CNT复合材料及其制备方法 [P].

张松利 ;

梁智萍 ;

关创 .

中国专利 :CN108511201A ,2018-09-07

[10]

一种NiMoO4/MoS2/NiS纳米复合材料的制备方法 [P].

关晓辉 ;

吕璇 ;

鲁敏 ;

徐小惠 .

中国专利 :CN105097300A ,2015-11-25

← 1 2 3 4 5 →