基于自旋轨道矩的差分存储单元及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911186221.1

申请日：

2019-11-27

公开(公告)号：

CN112863565B

公开(公告)日：

2021-05-28

发明(设计)人：

李州孟皓殷标迟克群刘波

申请人：

申请人地址：

311300 浙江省杭州市临安区青山湖街道励新路9号

IPC主分类号：

G11C1116

IPC分类号：

H01L4308 H01L4312

代理机构：

北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667

代理人：

孙峰芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/16 申请日:20191127
2021-05-28	公开	公开
2022-08-23	授权	授权

共 50 条

[1]

基于自旋轨道矩的存储单元 [P].

李州 ;

孟皓 .

中国专利 :CN111864060A ,2020-10-30

[2]

基于自旋轨道矩的存储单元及其制造方法 [P].

迟克群 ;

孟皓 .

中国专利 :CN111682106B ,2020-09-18

[3]

自旋轨道矩差分存储单元及MRAM存储器 [P].

石以诺 ;

李州 ;

刘波 .

中国专利 :CN118574502A ,2024-08-30

[4]

自旋轨道矩磁性存储单元 [P].

石以诺 ;

孟皓 ;

迟克群 ;

李州 .

中国专利 :CN114497353B ,2025-10-31

[5]

自旋轨道矩磁性存储单元 [P].

石以诺 ;

孟皓 ;

迟克群 ;

李州 .

中国专利 :CN114497353A ,2022-05-13

[6]

自旋轨道矩磁性存储单元及其制备方法 [P].

李州 ;

孟皓 ;

迟克群 .

中国专利 :CN112310274A ,2021-02-02

[7]

自旋轨道矩磁存储单元及其制备方法 [P].

申力杰 ;

何世坤 ;

赵磊 .

中国专利 :CN121013637A ,2025-11-25

[8]

基于自旋轨道矩的MRAM存储单元及存储阵列 [P].

何世坤 ;

刘少鹏 ;

熊保玉 .

中国专利 :CN111223506A ,2020-06-02

[9]

基于自旋轨道矩的磁性存储器件及SOT-MRAM存储单元 [P].

何世坤 ;

杨晓蕾 ;

王明 .

中国专利 :CN112186098A ,2021-01-05

[10]

基于自旋轨道矩的磁性存储器及其制备方法 [P].

杨晓蕾 ;

王明 ;

何世坤 .

中国专利 :CN112563409A ,2021-03-26

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