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自对准沟槽MOSFET的结构和方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201980013918.0
申请日：
2019-03-01
公开(公告)号：
CN111727491B
公开(公告)日：
2020-09-29
发明(设计)人：
哈姆扎·耶尔马兹
申请人：
申请人地址：
美国加利福尼亚
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
H01L2168
H01L27088
H01L218234
H01L2906
H01L2943
代理机构：
上海旭诚知识产权代理有限公司 31220
代理人：
郑立;丁惠敏
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-03-16 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20190301 |
| 2022-06-07 | 授权 | 授权 |
| 2020-09-29 | 公开 | 公开 |