结型场效应管及其制作方法、半导体芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010744519.6

申请日：

2020-07-29

公开(公告)号：

CN111900197A

公开(公告)日：

2020-11-06

发明(设计)人：

王炜槐

申请人：

申请人地址：

310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29808 H01L27098 H01L21335

代理机构：

杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329

代理人：

唐灵;赵杰香

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-07	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/06 变更事项:申请人变更前:杰华特微电子(杭州)有限公司变更后:杰华特微电子股份有限公司变更事项:地址变更前:310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室变更后:310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室
2020-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200729
2020-11-06	公开	公开

共 50 条

[1]

基于SiC的结型场效应管及其制作方法 [P].

樊庆扬 ;

赵睿达 ;

赵颖博 ;

陈帅铭 ;

吴杰 .

中国专利 :CN114220867A ,2022-03-22

[2]

异质结场效应管及其制作方法 [P].

袁理 .

中国专利 :CN103579332A ,2014-02-12

[3]

无结场效应管及其制作方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN105448718A ,2016-03-30

[4]

功率结型场效应管及其制造方法 [P].

祁树坤 .

中国专利 :CN104900695B ,2015-09-09

[5]

结型场效应管及其制备方法 [P].

周慕雅 .

中国专利 :CN111834220A ,2020-10-27

[6]

结型场效应管及其制造方法 [P].

小林俊介 .

中国专利 :CN101170136A ,2008-04-30

[7]

场效应管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108133963B ,2018-06-08

[8]

结型场效应管及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN103187308A ,2013-07-03

[9]

MOS场效应管及其制作方法 [P].

伍宏 ;

陈晓波 .

中国专利 :CN1983630A ,2007-06-20

[10]

超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 [P].

段宝兴 ;

袁小宁 ;

董超 ;

范玮 ;

朱樟明 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN104124274A ,2014-10-29

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