过渡金属硫化物的半导体组件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480075938.8

申请日：

2014-03-21

公开(公告)号：

CN106030807A

公开(公告)日：

2016-10-12

发明(设计)人：

M·拉多萨夫列维奇 B·S·多伊尔 R·皮拉里塞泰 N·慕克吉 S·达斯古普塔 H·W·田 R·S·周

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L2904

IPC分类号：

H01L29786 H01L2912

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈松涛;王英

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-13	授权	授权
2016-10-12	公开	公开
2022-03-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/04 申请日:20140321 授权公告日:20190913 终止日期:20210321
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708687370 IPC(主分类):H01L 29/04 专利申请号:2014800759388 申请日:20140321

共 50 条

[1]

一种制备过渡金属硫化物的金属与半导体异质结结构的方法 [P].

李贺楠 ;

龚雪 ;

时玉萌 ;

李捷妮 .

中国专利 :CN108389778A ,2018-08-10

[2]

降低硅和过渡金属硫化物半导体肖特基势垒的界面处理方法 [P].

陈杰智 ;

马晓雷 .

中国专利 :CN109671627A ,2019-04-23

[3]

锂过渡金属硫化物的合成方法 [P].

A·G·里奇 ;

P·G·鲍尔斯 .

中国专利 :CN1210826C ,2004-04-14

[4]

含锂的过渡金属硫化物化合物 [P].

杰里米·巴克尔 ;

艾玛·肯德里克 .

中国专利 :CN102177607A ,2011-09-07

[5]

过渡金属硫化物纳米球的制备及应用 [P].

吴则星 ;

宋敏 ;

张紫金 ;

王帅 ;

刘希恩 .

中国专利 :CN110028107A ,2019-07-19

[6]

含锂的过渡金属硫化物化合物 [P].

杰里米·巴克尔 ;

艾玛·肯德里克 .

中国专利 :CN102177094A ,2011-09-07

[7]

含锂的过渡金属硫化物化合物 [P].

杰里米·巴克尔 ;

艾玛·肯德里克 .

中国专利 :CN102186777A ,2011-09-14

[8]

过渡金属硫化物对电极的制备及应用 [P].

王育乔 ;

白一超 ;

杨大伟 ;

孙岳明 .

中国专利 :CN105845444A ,2016-08-10

[9]

过渡金属硫化物纳米颗粒及其制备方法 [P].

赵斌 .

中国专利 :CN110240206A ,2019-09-17

[10]

一种过渡金属硫化物晶体管及其制备方法 [P].

钟旻 ;

陈寿面 .

中国专利 :CN109411544A ,2019-03-01

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