一种金属硫化物半导体纳米晶的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03150857.X

申请日：

2003-09-05

公开(公告)号：

CN1522953A

公开(公告)日：

2004-08-25

发明(设计)人：

吴庆生刘金库丁亚平

申请人：

申请人地址：

200092上海市四平路1239号

IPC主分类号：

B82B300

IPC分类号：

C01B1700 H01L2100

代理机构：

上海德昭专利事务所

代理人：

陈龙梅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-05-12	授权	授权
2004-08-25	公开	公开
2006-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-11-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101535321875 IPC(主分类):B82B 3/00 专利号:ZL03150857X 申请日:20030905 授权公告日:20100512 终止日期:20120905

共 50 条

[1]

一种水溶性金属硫化物半导体纳米粒子的制备方法 [P].

周立 ;

高超 .

中国专利 :CN101774628A ,2010-07-14

[2]

金属硫化物纳米晶的制备方法 [P].

李亚栋 ;

彭卿 ;

庄仲滨 ;

鲁晓棠 .

中国专利 :CN101857265A ,2010-10-13

[3]

纳米金属硫化物物理显影核的制备方法 [P].

陈萍 ;

盛丽琴 ;

于淑芳 .

中国专利 :CN1180312C ,2003-02-19

[4]

纳米金属硫化物的制备方法 [P].

白红娟 ;

张肇铭 .

中国专利 :CN1298858C ,2005-10-26

[5]

一种一维硫化物半导体微晶的制备方法 [P].

刘玉峰 ;

郑新峰 ;

房永征 ;

侯京山 ;

张娜 ;

赵国营 .

中国专利 :CN106145178A ,2016-11-23

[6]

一种纳米金属硫化物复合半导体光催化材料的制备方法 [P].

张法智 ;

鲁瑞娟 ;

徐新 ;

徐赛龙 ;

段雪 .

中国专利 :CN101664686B ,2010-03-10

[7]

硫化物半导体纳米线的制备方法 [P].

陈淼 ;

娄文静 ;

张亚男 ;

王晓波 .

中国专利 :CN1986911A ,2007-06-27

[8]

一种纳米金属硫化物材料的制备方法 [P].

单永奎 ;

邢芳 ;

孔爱国 ;

黄剑 ;

朱小方 ;

严莉丽 ;

刘玉飞 .

中国专利 :CN103553121A ,2014-02-05

[9]

一种染料敏化金属硫化物半导体纳米材料的制备方法 [P].

张法智 ;

常佳朋 ;

刘鑫 .

中国专利 :CN103240125A ,2013-08-14

[10]

一种纳米金属硫化物的制备方法 [P].

辛宝平 ;

陈实 ;

马兴泰 ;

吴莹 .

中国专利 :CN102181495B ,2011-09-14

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