高导高硬铜-难熔金属薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010558521.0

申请日：

2010-11-25

公开(公告)号：

CN101994086A

公开(公告)日：

2011-03-30

发明(设计)人：

孙勇郭中正周铖刘国涛

申请人：

申请人地址：

650093 云南省昆明市五华区学府路253号(昆明理工大学)

IPC主分类号：

C23C1414

IPC分类号：

C23C1435 C22C4500

代理机构：

昆明今威专利代理有限公司 53115

代理人：

赵云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101203922767 IPC(主分类):C23C 14/14 专利申请号:2010105585210 申请日:20101125
2011-03-30	公开	公开
2013-08-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101651856863 IPC(主分类):C23C 14/14 专利申请号:2010105585210 申请公布日:20110330

共 50 条

[1]

高热稳定性铜-难熔金属非晶薄膜及其制备方法 [P].

孙勇 ;

郭中正 ;

周铖 ;

刘国涛 .

中国专利 :CN101994085A ,2011-03-30

[2]

一种高强高导铜/钼纳米多层薄膜及其制备方法 [P].

孙勇 ;

郭中正 ;

段永华 .

中国专利 :CN102492929A ,2012-06-13

[3]

一种NbMoTaWAl难熔高熵合金薄膜及其制备方法 [P].

杨冲 ;

李彤 ;

王亚强 ;

刘刚 ;

孙军 .

中国专利 :CN113151795A ,2021-07-23

[4]

一种TiVZrTaAl难熔高熵合金及其制备方法 [P].

杨熠 ;

马托 ;

梁梦恬 ;

尹冰冰 .

中国专利 :CN120138478A ,2025-06-13

[5]

一种高电阻率高熵合金薄膜及其制备方法 [P].

程兴旺 ;

孙小尧 ;

蒋雯 ;

王梦 ;

徐子祁 ;

谭友德 ;

张洪梅 ;

刘安晋 .

中国专利 :CN110129732A ,2019-08-16

[6]

一种TiVZrTaAl难熔高熵合金及其制备方法 [P].

杨熠 ;

马托 ;

梁梦恬 ;

尹冰冰 .

中国专利 :CN120138478B ,2025-07-29

[7]

一种高强高导耐蚀抗菌合金薄膜及其制备方法 [P].

苏东艺 ;

杜日昇 ;

黄现南 ;

肖衡 .

中国专利 :CN119571252A ,2025-03-07

[8]

一种高强高导耐蚀抗菌合金薄膜及其制备方法 [P].

苏东艺 ;

杜日昇 ;

黄现南 ;

肖衡 .

中国专利 :CN119571252B ,2025-11-07

[9]

一种耐磨共沉积难熔高熵合金薄膜及其制备方法 [P].

周青 ;

黄卓斌 ;

王雨琤 ;

罗大微 ;

邱龙时 ;

王海丰 .

中国专利 :CN116479305B ,2024-09-17

[10]

一种高纯难熔金属块体的制备方法 [P].

杨益航 ;

郑艾龙 ;

张厚安 ;

林文浩 ;

刘嘉威 .

中国专利 :CN108296480A ,2018-07-20

← 1 2 3 4 5 →