埋栅型晶体硅太阳能电池用电极浆料

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710243105.3
申请日
2017-04-14
公开(公告)号
CN106847374A
公开(公告)日
2017-06-13
发明(设计)人
顾生刚 佟丽国 张小芳 祝聪
申请人
申请人地址
102200 北京市昌平区科技园区超前路9号B座2290室
IPC主分类号
H01B122
IPC分类号
H01L310224
代理机构
常州市夏成专利事务所(普通合伙) 32233
代理人
沈毅
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种埋栅型晶体硅太阳能电池用电极浆料的制备方法 [P]. 
李驰 .
中国专利 :CN102568649A ,2012-07-11
[2]
一种晶体硅太阳能电池用电极浆料 [P]. 
马昭键 ;
李正良 ;
谢刚 ;
邱秋燕 ;
陆俊行 ;
周帆 ;
陆翔 ;
黄灿胜 ;
周奖 .
中国专利 :CN105810286A ,2016-07-27
[3]
晶体硅太阳能电池纳米透明埋栅电极的制备方法 [P]. 
高进伟 ;
裴颗 ;
韩兵 ;
王洋 .
中国专利 :CN102983212A ,2013-03-20
[4]
晶体硅太阳能电池正面用电极银浆 [P]. 
张海旺 ;
赵北平 ;
李彪 .
中国专利 :CN113871056B ,2024-11-01
[5]
晶体硅太阳能电池正面用电极银浆 [P]. 
张海旺 ;
赵北平 ;
李彪 .
中国专利 :CN113871056A ,2021-12-31
[6]
一种晶体硅太阳能电池用电极混合浆料 [P]. 
马昭键 ;
李正良 ;
谢刚 ;
邱秋燕 ;
陆俊行 ;
周帆 ;
陆翔 ;
黄灿胜 ;
周奖 .
中国专利 :CN105655010A ,2016-06-08
[7]
晶体硅太阳能电池浆料 [P]. 
钱方大 .
中国专利 :CN108922649A ,2018-11-30
[8]
晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极 [P]. 
白海赞 ;
胡中 .
中国专利 :CN203774345U ,2014-08-13
[9]
晶体硅太阳能电池镂空式主栅电极 [P]. 
白海赞 ;
胡中 .
中国专利 :CN103904144B ,2014-07-02
[10]
晶体硅太阳能电池的电极 [P]. 
孙伟 .
中国专利 :CN103178130A ,2013-06-26